[發明專利]一種提高直拉重摻硅單晶徑向電阻率均勻性的方法無效
| 申請號： | 201210061381.5 | 申請日： | 2012-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN102560626A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 張雪囡;徐強;陳澄;宋都明;王林;鄔麗麗;苗向春 | 申請（專利權）人： | 天津市環歐半導體材料技術有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/04 | 分類號： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中環專利商標代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 直拉重摻硅單晶 徑向 電阻率 均勻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高直拉重摻硅單晶徑向電阻率均勻性的方法，其特征在于：換包括發生器（1）和支架（2），旋轉磁場發生器（1）安裝在支架（2）上并套裝在直拉爐（3）的外圍，磁場發生器（1）內壁距離直拉爐外壁1～25cm，方法步驟為：
⑴、將石英坩堝放入石墨坩堝中，多晶硅物料裝入石英坩堝內，換好要求的籽晶，關閉爐體，抽真空后加熱升溫將多晶硅全部熔化，進行摻雜；
⑵、摻雜完畢后，開啟旋轉磁場發生器1對硅熔體施加旋轉磁場，旋轉頻率為1～19Hz，磁場強度為600～1300Gauss，促進硅熔體的對流防止高濃度摻雜劑的向下沉積，使摻雜劑的分布更加均勻；?
⑶、下降籽晶至熔體液面處充分接觸后進行引晶，之后降低夾頭拉速進行緩慢擴肩，擴肩完成后轉肩、收肩進行等徑生長；
⑷、等徑生長結束后進行收尾，最后形成倒圓錐狀的尾部以留出足夠的反位錯余量；
⑸、關閉旋轉磁場發生器（1），等晶體冷卻后即可將晶體取出。
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