[發(fā)明專(zhuān)利]硅層轉(zhuǎn)印基板以及半導(dǎo)體基板的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210061282.7
• 申請(qǐng)日: 2012-03-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102683352A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三井實(shí)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 富士施樂(lè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/762
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 丁業(yè)平;張?zhí)焓?/td>

1.一種硅層轉(zhuǎn)印基板，包括：

作為第一基板的硅基板；

犧牲層；以及

轉(zhuǎn)印至第二基板的轉(zhuǎn)印硅層，

其中所述犧牲層具有硅化合物層，所述硅化合物層含有由硅以及選自鍺和碳中的至少一種元素構(gòu)成的化合物，并且所述犧牲層被設(shè)置在所述作為第一基板的硅基板上，所述硅化合物層的厚度等于或小于臨界膜厚度，

所述轉(zhuǎn)印至第二基板的轉(zhuǎn)印硅層被設(shè)置在所述犧牲層上，并且

所述硅基板或所述硅層中的至少一者具有與所述犧牲層相連的溝槽或孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅層轉(zhuǎn)印基板，其中所述硅化合物層含有由硅、鍺和碳構(gòu)成的化合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅層轉(zhuǎn)印基板，

其中所述犧牲層具有多個(gè)硅化合物層，

所述硅化合物層包括含有由硅和鍺構(gòu)成的化合物的第一硅化合物層、以及含有由硅和碳構(gòu)成的化合物的第二硅化合物層，所述第一硅化合物層和所述第二硅化合物層作為所述硅化合物層交替層疊，并且

每個(gè)所述硅化合物層的厚度均等于或小于臨界膜厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅層轉(zhuǎn)印基板，

其中所述犧牲層具有所述硅化合物層和硅層，所述硅化合物層含有由硅以及鍺或碳構(gòu)成的化合物，并且所述硅層不同于所述轉(zhuǎn)印硅層，

并且所述硅化合物層和所述硅層交替層疊，以及所述硅化合物層與所述轉(zhuǎn)印硅層接觸，所述硅化合物層的厚度等于或小于臨界膜厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅層轉(zhuǎn)印基板，

其中所述犧牲層具有所述硅化合物層和化合物半導(dǎo)體層，所述硅化合物層含有由硅以及鍺或碳構(gòu)成的化合物，

并且所述硅化合物層和所述化合物半導(dǎo)體層交替層疊，并且所述硅化合物層與所述轉(zhuǎn)印硅層接觸，所述硅化合物層和所述化合物半導(dǎo)體層的厚度均等于或小于臨界膜厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅層轉(zhuǎn)印基板，其中所述化合物半導(dǎo)體層含有鎵和磷。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅層轉(zhuǎn)印基板，其中所述犧牲層具有多個(gè)硅化合物層，其為2層至約20層。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅層轉(zhuǎn)印基板，其中所述犧牲層具有多個(gè)層，其為2層至約20層。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅層轉(zhuǎn)印基板，其中所述犧牲層具有多個(gè)層，其為2層至約20層。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅層轉(zhuǎn)印基板，其中所述犧牲層的總厚度為約50nm至約3μm。

11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅層轉(zhuǎn)印基板，其中所述犧牲層的總厚度為約50nm至約3μm。

12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅層轉(zhuǎn)印基板，其中所述犧牲層的總厚度為約50nm至約3μm。

13.一種制造半導(dǎo)體基板的方法，包括：

制備根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅層轉(zhuǎn)印基板；

將第二基板接合至所述硅層轉(zhuǎn)印基板的所述轉(zhuǎn)印硅層，從而獲得復(fù)合基板；

通過(guò)使所述復(fù)合基板與用于刻蝕所述犧牲層的刻蝕劑接觸，從而通過(guò)所述溝槽或所述孔除去至少部分的所述犧牲層；以及

將具有所述轉(zhuǎn)印硅層的所述第二基板與通過(guò)除去至少部分的所述犧牲層而獲得的所述復(fù)合基板分離。

14.一種制造半導(dǎo)體基板的方法，包括：

制備根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅層轉(zhuǎn)印基板；

將第二基板接合至所述硅層轉(zhuǎn)印基板的所述轉(zhuǎn)印硅層，從而獲得復(fù)合基板；

通過(guò)使所述復(fù)合基板與用于刻蝕所述犧牲層的刻蝕劑接觸，從而通過(guò)所述溝槽或所述孔除去至少部分的所述犧牲層；以及

將具有所述轉(zhuǎn)印硅層的所述第二基板與通過(guò)除去至少部分的所述犧牲層而獲得的所述復(fù)合基板分離。

15.一種制造半導(dǎo)體基板的方法，包括：

制備根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅層轉(zhuǎn)印基板；

將第二基板接合至所述硅層轉(zhuǎn)印基板的所述轉(zhuǎn)印硅層，從而獲得復(fù)合基板；

通過(guò)使所述復(fù)合基板與用于刻蝕所述犧牲層的刻蝕劑接觸，從而通過(guò)所述溝槽或所述孔除去至少部分的所述犧牲層；以及

將具有所述轉(zhuǎn)印硅層的所述第二基板與通過(guò)除去至少部分的所述犧牲層而獲得的所述復(fù)合基板分離。