[發(fā)明專利]多晶硅熔絲的形成方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210061153.8 | 申請日： | 2012-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN102569184A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 青云;劉建華;邵凱 | 申請（專利權）人： | 上海先進半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 200233 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 硅熔絲 形成 方法 | ||
1.一種多晶硅熔絲的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一襯底，所述襯底具有隔離結構；
在所述襯底表面熱氧化一層氧化硅；
在所述氧化硅及隔離結構表面沉積多晶硅，對所述多晶硅進行摻雜；
刻蝕所述多晶硅形成兩頭寬中間窄的多晶硅熔絲，所述多晶硅熔絲位于隔離結構上方的部分為突起；
在所述多晶硅熔絲、隔離結構及氧化硅表面沉積介質(zhì)層并平坦化所述介質(zhì)層；
在所述介質(zhì)層上涂覆光刻膠，光刻形成與所述突起相對應的第一窗口，所述第一窗口的寬度大于所述突起的寬度；
刻蝕去除所述第一窗口內(nèi)的部分介質(zhì)層，在所述介質(zhì)層中形成第二窗口；
去除光刻膠。
2.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅熔絲的形成方法，其特征在于：所述隔離結構的高度為2000-20000埃。
3.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅熔絲的形成方法，其特征在于：所述氧化硅的厚度為30-500埃。
4.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅熔絲的形成方法，其特征在于：在所述對多晶硅進行摻雜步驟中還包括采用硅化工藝形成硅化物。
5.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅熔絲的形成方法，其特征在于：所述多晶硅熔絲中間窄的區(qū)域為熔斷區(qū)，寬度為0.18-1.5微米。
6.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅熔絲的形成方法，其特征在于：所述第二窗口內(nèi)突起上方的介質(zhì)層厚度為500-2000埃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
