[發明專利]光刻膠去除方法、金屬線刻蝕方法以及集成電路制造方法

在審

• 申請號: 201210061098.2
• 申請日: 2012-03-09
• 公開（公告）號: CN102592991A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 彭精衛;王敬平
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/3213
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種光刻膠去除方法，其特征在于包括：

將帶有光刻膠的硅片從刻蝕腔室轉移至去膠腔室；

此后，在不點火的情況下在去膠腔室中通入氧氣；

隨后，點火開始去膠過程。

2.根據權利要求1所述的光刻膠去除方法，其特征在于，其中，在開始通入氧氣并經過預定時間之后點火。

3.根據權利要求1或2所述的光刻膠去除方法，其特征在于，其中，在硅片上升到預定溫度之后點火開始去膠過程。

4.根據權利要求1或2所述的光刻膠去除方法，其特征在于，在點火之前在去膠腔室中通入氧氣的步驟中，氧氣的通入量為500-3500sccm。

5.一種采用了根據權利要求1至4之一所述的光刻膠去除方法的金屬線刻蝕方法。

6.一種采用了根據權利要求1至4之一所述的光刻膠去除方法或根據權利要求5所述的金屬線刻蝕方法的集成電路制造方法。