[發明專利]溝槽式MOS靜電釋放結構制造方法以及集成電路有效
| 申請號： | 201210061097.8 | 申請日： | 2012-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN102610592B | 公開（公告）日： | 2016-11-02 |
| 發明（設計）人： | 樓穎穎;吳亞貞 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/60 | 分類號： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 mos 靜電 釋放 結構 制造 方法 以及 集成電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種溝槽式MOS靜電釋放結構制造方法，其特征在于包括：
對溝槽式MOS的源極進行離子注入以形成二極管陣列；
此后，沉積第一層間介質層，其中該第一層間介質層僅僅包括低溫氧化層和/或正硅酸乙酯層；
此后，執行退火以激活溝槽式MOS的源極中的摻雜物以及二極管陣列；
此后，沉積第二層間介質層，其中該第二層間介質層僅僅包括BPSG。
2.根據權利要求1所述的溝槽式MOS靜電釋放結構制造方法，其特征在于還包括：形成接觸孔。
3.一種采用了根據權利要求1所述的溝槽式MOS靜電釋放結構制造方法而制成的集成電路。
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