[發(fā)明專利]一種基于二極管輔助觸發(fā)的雙向可控硅器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210060503.9 | 申請日: | 2012-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN102569360A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭劍鋒;韓雁;馬飛;董樹榮;吳健;苗萌;曾杰 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號: | H01L29/06 | 分類號: | H01L29/06;H01L29/74 |
| 代理公司: | 杭州天勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡紅娟 |
| 地址: | 310027 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 二極管 輔助 觸發(fā) 雙向 可控硅 器件 | ||
1.一種基于二極管輔助觸發(fā)的雙向可控硅器件,其特征在于,包括:
P襯底層(10)和兩條二極管鏈路;
所述的P襯底層(10)上從左到右依次設(shè)有第一N阱(21)、P阱(23)和第二N阱(22),所述的P阱(23)與第一N阱(21)和第二N阱(22)并排相連;
所述的第一N阱(21)上從左到右依次并排設(shè)有第一N+有源注入?yún)^(qū)(41)、第一P+有源注入?yún)^(qū)(51)和第二N+有源注入?yún)^(qū)(42);所述的第二N阱(22)上從左到右依次并排設(shè)有第三N+有源注入?yún)^(qū)(43)、第二P+有源注入?yún)^(qū)(52)和第四N+有源注入?yún)^(qū)(44);
所述的第一N+有源注入?yún)^(qū)(41)和第一P+有源注入?yún)^(qū)(51)通過第一金屬電極(61)相連,所述的第二P+有源注入?yún)^(qū)(52)和第四N+有源注入?yún)^(qū)(44)通過第二金屬電極(62)相連;
所述的第三N+有源注入?yún)^(qū)(43)與第一二極管鏈路的陽極相連,第一二極管鏈路的陰極與第一金屬電極(61)相連;所述的第二N+有源注入?yún)^(qū)(42)與第二二極管鏈路的陽極相連,第二二極管鏈路的陰極與第二金屬電極(62)相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于二極管輔助觸發(fā)的雙向可控硅器件,其特征在于:所述的第一N+有源注入?yún)^(qū)(41)與第一P+有源注入?yún)^(qū)(51)、第一P+有源注入?yún)^(qū)(51)與第二N+有源注入?yún)^(qū)(42)、第二N+有源注入?yún)^(qū)(42)與第三N+有源注入?yún)^(qū)(43)、第三N+有源注入?yún)^(qū)(43)與第二P+有源注入?yún)^(qū)(52)或第二P+有源注入?yún)^(qū)(52)與第四N+有源注入?yún)^(qū)(44)通過淺槽(3)隔離。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





