[發明專利]一種硅片的濕法刻蝕方法及太陽能電池生產方法

有效

• 申請號: 201210060376.2
• 申請日: 2012-03-08
• 公開（公告）號: CN102560686A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 李高非;徐卓;郎芳;崔景光
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C23F1/24;H01L21/02;H01L21/306;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種硅片的濕法刻蝕方法，包括以下步驟：

a)使用氫氟酸對擴散制結后得到的硅片的各個表面進行潤洗；

b)用去離子水對所述步驟a)得到的硅片的各個表面進行沖洗；

c)將所述步驟b)得到的硅片進行表面干燥；

d)使用氫氟酸、硝酸和硫酸的混合液對所述步驟c)得到的硅片的側面和背面進行刻蝕。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟a)中氫氟酸的質量濃度為5％～10％。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟a)中氫氟酸的質量濃度為7％～9％。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟a)中潤洗的時間為1～5min。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟b)中沖洗的時間為1～3min。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟b)中沖洗為噴淋或潤洗。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟c)中干燥為烘干或甩干。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟a)中潤洗在鏈式設備或槽式設備中進行。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟b)中沖洗在鏈式設備或槽式設備中進行。

10.一種太陽能電池的生產方法，依次包括硅片檢測，表面制絨處理，擴散制結處理，濕法刻蝕處理，鍍減反射膜處理，制作正面電極及背面電極和燒結處理，其特征在于，按照權利要求1～9任意一項所述的硅片濕法刻蝕方法進行濕法刻蝕。