[發(fā)明專利]一種基于太赫茲時(shí)域光譜測(cè)定巖石光學(xué)參數(shù)的方法及系統(tǒng)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210060137.7
• 申請(qǐng)日: 2012-03-08
• 公開（公告）號(hào): CN102621083A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙昆;寶日瑪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)石油大學(xué)(北京)
• 主分類號(hào): G01N21/31
• 分類號(hào): G01N21/31;G01N21/41
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種基于太赫茲時(shí)域光譜測(cè)定巖石光學(xué)參數(shù)的方法，其特征在于，所述的方法包括：

對(duì)巖石基底和巖石樣品進(jìn)行檢測(cè)，獲取所述的巖石基底的太赫茲脈沖時(shí)域波形和所述的巖石樣品的太赫茲脈沖時(shí)域波形；

對(duì)所述的巖石基底的太赫茲脈沖時(shí)域波形和所述的巖石樣品的太赫茲脈沖時(shí)域波形進(jìn)行處理，得到所述的巖石樣品的吸收譜和折射率譜數(shù)據(jù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太赫茲時(shí)域光譜測(cè)定巖石光學(xué)參數(shù)的方法，其特征在于，對(duì)所述巖石基底的太赫茲脈沖時(shí)域波形和所述的巖石樣品的太赫茲脈沖時(shí)域波形進(jìn)行處理，得到所述的巖石樣品的吸收譜和折射率譜數(shù)據(jù)包括：

對(duì)所述巖石基底的太赫茲脈沖時(shí)域波形和所述的巖石樣品的太赫茲脈沖時(shí)域波形進(jìn)行快速傅里葉變換處理，得到所述的巖石樣品的折射率n(v)、消光系數(shù)k(v)和吸收系數(shù)α(v)；

在有效頻率范圍內(nèi)建立巖石樣品的吸收譜和折射率譜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于太赫茲時(shí)域光譜測(cè)定巖石光學(xué)參數(shù)的方法，其特征在于，其中：

α(v)=4πvk(v)c,]]>

k(v)=c2πdvln4n(v)A(1+n(v))2,]]>

其中，為巖石樣品電場(chǎng)與巖石基底電場(chǎng)之間的相位差，d為巖石樣品的厚度，v為輻射的頻率，c為真空中的光速。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太赫茲時(shí)域光譜測(cè)定巖石光學(xué)參數(shù)的方法，其特征在于，所述的對(duì)巖石基底和巖石樣品進(jìn)行檢測(cè)包括：利用透射式太赫茲時(shí)域光譜裝置對(duì)巖石基底和巖石樣品進(jìn)行檢測(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太赫茲時(shí)域光譜測(cè)定巖石光學(xué)參數(shù)的方法，其特征在于，所述的巖石基底為二氧化硅單晶片。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太赫茲時(shí)域光譜測(cè)定巖石光學(xué)參數(shù)的方法，其特征在于，所述的巖石樣品的厚度為0.02至0.05毫米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太赫茲時(shí)域光譜測(cè)定巖石光學(xué)參數(shù)的方法，其特征在于，所述的巖石樣品在進(jìn)行測(cè)定之前先進(jìn)行干燥處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于太赫茲時(shí)域光譜測(cè)定巖石光學(xué)參數(shù)的方法，其特征在于，所述的干燥處理為，將所述的巖石樣品在干燥箱中以50攝氏度干燥48小時(shí)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太赫茲時(shí)域光譜測(cè)定巖石光學(xué)參數(shù)的方法，其特征在于，所述的巖石基底和所述的巖石樣品通過(guò)環(huán)氧樹脂膠粘貼。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太赫茲時(shí)域光譜測(cè)定巖石光學(xué)參數(shù)的方法，其特征在于，所述的對(duì)巖石基底和巖石樣品進(jìn)行檢測(cè)，獲取所述的巖石基底的太赫茲脈沖時(shí)域波形和所述的巖石樣品的太赫茲脈沖時(shí)域波形包括：對(duì)巖石基底和巖石樣品進(jìn)行多次檢測(cè)，獲取所述的巖石基底的太赫茲脈沖時(shí)域波形的平均值和所述的巖石樣品的太赫茲脈沖時(shí)域波形的平均值。