[發明專利]化合物薄膜太陽能電池的制作方法及制作的太陽能電池

無效

• 申請號: 201210060125.4
• 申請日: 2012-03-09
• 公開（公告）號: CN103137784A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 朱容賢;賴明旺;洪東億
• 申請（專利權）人: 碩禾電子材料股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/032
• 代理公司: 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113
• 代理人: 何為;袁穎華

1.一種化合物薄膜太陽能電池的制作方法，該太陽能電池的制作包括雙漸層結構的吸收材料層的制作，其特征在于：所述吸收材料層是在真空腔體內于500-600℃以濺鍍方式配合持續通入的硒蒸氣進行制作，該吸收材料層的雙漸層的制作過程包括如下三階段：

第一階段是于正規化功率0.35W±10%時導入銦，而于正規化功率0.5W±10%導入銅鎵，且該銦與銅鎵的摻雜濃度比例為3.5：5；

第二階段是于正規化功率0.1W±10%時導入銅鎵，而于正規化功率0.2W±10%時導入銅，并于正規化功率0.75W±10%時導入銦，且該銅鎵、銅與銦的摻雜濃度比例為1：2：7.5；以及

第三階段是于正規化功率0.35W±10%時導入銦，而于正規化功率0.5W±10%時導入銅鎵，且該銦與銅鎵的摻雜濃度比例為3.5：5。

2.如權利要求1所述的化合物薄膜太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第一階段占總制作過程時間的45%±20%。

3.如權利要求1所述的化合物薄膜太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第二階段占總制作過程時間的50%±20%。

4.如權利要求1所述的化合物薄膜太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第三階段占總制作過程時間的5%±5%。

5.一種化合物薄膜太陽能電池的制作方法，該太陽能電池的制作包括單層結構的吸收材料層的制作，其特征在于：所述吸收材料層是于真空腔體內在500-600℃以濺鍍方式配合持續通入的硒蒸氣進行制作，該吸收材料層的單層制作過程為單階段制作：該階段是于正規化功率0.35W±10%時導入銦，而于正規化功率0.5W±10%導入銅鎵，且該銦與銅鎵的摻雜濃度比例為3.5：5。

6.如權利要求5所述的化合物薄膜太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述單階段占總制作過程時間的100%。

7.一種如權利要求1或5所述的化合物薄膜太陽能電池的制作方法制作的太陽能電池，其特征在于：所述太陽能電池包含有鈉玻璃基板、設于鈉玻璃基板上的鉬材料層、設于鉬材料層上的吸收材料層、設于吸收材料層上的硫化鎘材料層、設于硫化鎘材料層上的氧化鋅材料層、及設于氧化鋅材料層上的透明導電層。

8.一種如權利要求1或5所述的化合物薄膜太陽能電池的制作方法制作的太陽能電池，其特征在于：所述太陽能電池包含有不銹鋼基板、設于不銹鋼基板上的鉻材料層、設于鉻材料層上的鉬鈉材料層、設于鉬鈉材料層上的鉬材料層、設于鉬材料層上的吸收材料層、設于吸收材料層上的硫化鎘材料層、設于硫化鎘材料層上的氧化鋅材料層、及設于氧化鋅材料層上的透明導電層。