[發明專利]一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制造方法

無效

• 申請號: 201210059609.7
• 申請日: 2012-03-08
• 公開（公告）號: CN102543867A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 焦峰;周劉飛;王海宏
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;G02F1/1368;G03F7/00;G03F7/20
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括如下步驟：

(100)通過第一次光刻工藝在襯底基板上形成柵掃描線圖案、柵電極圖案和柵掃描線端子圖案；

(200)通過使用半色調掩膜版或灰色調掩膜版的第二次光刻工藝在形成上述圖案的襯底基板上形成金屬氧化物層圖案和刻蝕阻擋層圖案；

(300)通過第三次光刻工藝在形成步驟(200)所述圖案的襯底基板上形成數據線圖案、數據線端子圖案、源電極圖案和漏電極圖案；

(400)通過第四次光刻工藝在形成步驟(300)所述圖案的襯底基板上形成漏電極接觸孔圖案、柵掃描線端子接觸孔圖案和數據線端子接觸孔圖案；

(500)通過第五次光刻工藝在形成步驟(400)所述圖案的襯底基板上形成像素電極圖案、柵掃描線端子接觸電極圖案和數據線端子接觸電極圖案。

2.根據權利要求1所述一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于：所述步驟(100)還包括如下步驟：

(101)在襯底基板上沉積金屬薄膜；

(102)在金屬薄膜上涂覆光刻膠；

(103)采用普通掩膜版對光刻膠進行曝光顯影操作，形成包括完全保留區域和完全去除區域；

(104)對金屬薄膜進行刻蝕，刻蝕掉位于完全去除區域的金屬薄膜，形成柵掃描線圖案、柵電極圖案和柵掃描線端子圖案。

3.根據權利要求1所述一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于：所述步驟(200)還包括如下步驟：

(201)在形成上述圖案的襯底基板上沉積柵極絕緣層薄膜、金屬氧化物薄膜以及刻蝕阻擋層薄膜；

(202)在刻蝕阻擋層薄膜上涂覆光刻膠；

(203)采用半色調掩膜版或灰色調掩膜版對光刻膠進行曝光顯影操作，形成包括完全保留區域，半保留區域和完全去除區域；

(204)對刻蝕阻擋層薄膜和金屬氧化物薄膜進行第一次刻蝕，刻蝕掉位于完全去除區域的刻蝕阻擋層薄膜和金屬氧化物薄膜；

(205)按照位于半保留區域的光刻膠的厚度對位于完全保留區域和半完全保留區域的光刻膠進行灰化處理；

(206)對刻蝕阻擋層薄膜進行第二次刻蝕，刻蝕掉位于半保留區域的刻蝕阻擋層，對保留的光刻膠進行剝離處理，形成金屬氧化物層圖案和刻蝕阻擋層圖案。

4.根據權利要求1所述一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于：所述步驟(300)還包括如下步驟：

(301)在形成步驟(200)所述圖案的襯底基板上沉積金屬薄膜；

(302)在金屬薄膜上涂覆光刻膠；

(303)采用普通掩膜版對光刻膠進行曝光顯影操作，形成包括完全保留區域和完全去除區域；

(304)對金屬薄膜進行刻蝕，刻蝕掉位于完全去除區域的金屬薄膜，形成數據線圖案、數據線端子圖案、源電極圖案和漏電極圖案。

5.根據權利要求1所述一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于：所述步驟(400)還包括如下步驟：

(401)在形成步驟(300)所述圖案的襯底基板上沉積保護層薄膜；

(402)在保護層薄膜上涂覆光刻膠；

(403)采用普通掩膜版對光刻膠進行曝光顯影操作，形成包括完全保留區域和完全去除區域；

(404)對保護層薄膜進行刻蝕操作，刻蝕掉位于完全去除區域的保護層薄膜，形成漏電極接觸孔圖案、柵掃描線端子接觸孔圖案和數據線端子接觸孔圖案。

6.根據權利要求1所述一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于：所述步驟(500)還包括如下步驟：

(501)在形成步驟(400)所述圖案的襯底基板上沉積像素電極薄膜；

(502)在像素電極薄膜上涂覆光刻膠；

(503)采用普通掩膜版對光刻膠進行曝光顯影操作，形成包括完全保留區域和完全去除區域；

(504)對像素電極薄膜進行刻蝕操作，刻蝕掉位于完全去除區域的像素電極薄膜，形成像素電極圖案、柵掃描線端子接觸電極圖案和數據線端子接觸電極圖案。

7.根據權利要求1所述一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于：所述金屬氧化物為氧化銦鎵鋅或氧化銦鋅。