[發明專利]蒽衍生物、發光元件用材料、發光元件、發光裝置和電子器件

有效

• 申請號: 201210059430.1
• 申請日: 2006-03-24
• 公開（公告）號: CN102629666A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 川上祥子;大澤信晴;中島晴惠;小島久味;瀨尾哲史;江川昌和;野村亮二
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;C07D209/88;C09K11/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 林毅斌;艾尼瓦爾

1.一種發光裝置，包括：

基材；

在所述基材上的基礎絕緣層；

在所述基礎絕緣層上的第一電極；

在所述第一電極上的發光層；以及

在所述發光層上的第二電極；

其中，所述發光層包括主體和摻雜劑，

其中，所述主體為由以下通式表示的蒽衍生物：

以及

其中：R¹-R⁵獨立為氫或具有1-6碳原子的烷基；R⁶-R¹³獨立為氫、具有1-6碳原子的烷基或具有6-14碳原子的取代或未取代的芳基；A¹和A²獨立為氫、具有1-6碳原子的烷基、具有6-14碳原子的取代或未取代的芳基或取代或未取代的二芳基氨基。

2.權利要求1的發光裝置，其中所述蒽衍生物具有選自以下通式中的一種結構式：

3.權利要求1的發光裝置，其中所述摻雜劑選自1，2-二苯乙烯類衍生物、喹諾酮衍生物、吖啶酮衍生物、蒽衍生物、芘衍生物和菲衍生物中的一種。

4.權利要求1的發光裝置，其中所述摻雜劑選自芘衍生物中的一種。

5.權利要求1的發光裝置，還包括在所述發光層和所述第二電極之間的電子傳輸層，其中，所述電子傳輸層包括向紅菲咯啉衍生物。

6.權利要求1的發光裝置，還包括在所述第一電極上并與所述第一電極接觸的空穴注入層，其中，所述空穴注入層包括選自氧化釩、氧化鉬、氧化釕和氧化鋁中的一種金屬氧化物。

7.權利要求1的發光裝置，還包括在所述第一電極上并與所述第一電極接觸的空穴注入層，其中，所述空穴注入層包括有機化合物以及選自氧化釩、氧化鉬、氧化釕和氧化鋁中的一種金屬氧化物。

8.權利要求1的發光裝置，其中所述第二電極為透光導電膜。

9.一種包括權利要求1的發光裝置的電子器件。

10.一種發光裝置，包括：

第一電極，該第一電極能夠阻擋光；

在所述第一電極上的發光層；以及

在所述發光層上的第二電極，該第二電極能夠透光；

其中，所述發光層包括主體和摻雜劑，

其中，所述主體為由以下通式表示的蒽衍生物：

其中：R¹-R⁵獨立為氫或具有1-6碳原子的烷基；R⁶-R¹³獨立為氫、具有1-6碳原子的烷基或具有6-14碳原子的取代或未取代的芳基；A¹和A²獨立為氫、具有1-6碳原子的烷基、具有6-14碳原子的取代或未取代的芳基或取代或未取代的二芳基氨基。

11.權利要求10的發光裝置，其中所述蒽衍生物具有選自以下通式中的一種結構式：

12.權利要求10的發光裝置，其中所述摻雜劑選自1，2-二苯乙烯類衍生物、喹諾酮衍生物、吖啶酮衍生物、蒽衍生物、芘衍生物和菲衍生物中的一種。

13.權利要求10的發光裝置，其中所述摻雜劑選自芘衍生物。

14.權利要求10的發光裝置，還包括在所述發光層和所述第二電極之間的電子傳輸層，其中，所述電子傳輸層包括向紅菲咯啉衍生物。

15.權利要求10的發光裝置，還包括在所述第一電極上并所述與第一電極接觸的空穴注入層，其中，所述空穴注入層包括選自氧化釩、氧化鉬、氧化釕和氧化鋁中的一種金屬氧化物。

16.權利要求10的發光裝置，還包括在所述第一電極上并所述與第一電極接觸的空穴注入層，其中，所述空穴注入層包括有機化合物以及選自氧化釩、氧化鉬、氧化釕和氧化鋁中的一種金屬氧化物。

17.一種包括權利要求10的發光裝置的電子器件。