[發明專利]高顯示質量的雙閘極顯示面板

無效

• 申請號: 201210059400.0
• 申請日: 2012-03-08
• 公開（公告）號: CN102566183A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 柳智忠
• 申請（專利權）人: 深超光電(深圳)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;G09G3/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高顯示質量的雙閘極顯示面板，其特征在于：包含

多條平行的掃描線，其中包含有一第一掃描線與一第二掃描線；

多條平行的數據線，其與該些掃描線互相垂直，且該些數據線中包含一第一資料線；

多條共通電極線，其與該些數據線互相平行，且該些共通電極線中包含一第一共通電極線與一第二共通電極線；以及

多個雙閘極畫素單元，每一該雙閘極畫素單元連接一該數據線、二該掃描線與二該共通電極線，每一該共通電極線分別位于相鄰兩行的該些雙閘極畫素單元之間，且連接其相鄰兩行的該些雙閘極畫素單元，每一該雙閘極畫素單元包含：

第一畫素，其連接該第一掃描線、該第一共通電極線與該第一資料線；以及

第二畫素，其連接該第二掃描線、該第二共通電極線與該第一資料線，該第一、第二畫素位于該第一資料線的相異兩側。

2.根據權利要求1所述的高顯示質量的雙閘極顯示面板，其特征在于：該第一、第二畫素位于該第一、第二掃描線的相異兩側。

3.根據權利要求1所述的高顯示質量的雙閘極顯示面板，其特征在于：該第一畫素包含：

一第一薄膜晶體管，其閘極連接該第一掃描線，其源極連接該第一數據線；

一第一液晶電容，其一端連接該第一薄膜晶體管的汲極，另一端連接一共通電極，以接收一第一共通電極訊號，該第一薄膜晶體管接收該第一數據線所傳輸的一數據訊號，該第一掃描線控制該第一薄膜晶體管的開關狀態，使該第一薄膜晶體管根據該數據訊號控制該第一液晶電容的充放電；以及

一第一儲存電容，其一端連接該第一薄膜晶體管的汲極，另一端連接該第一共通電極線，以接收該第一共通電極線所傳輸的一第二共通電極訊號，該第一儲存電容維持該第一液晶電容的兩端的電位差。

4.根據權利要求1所述的高顯示質量的雙閘極顯示面板，其特征在于：該第二畫素包含：

一第二薄膜晶體管，其閘極連接該第二掃描線，其源極連接該第一數據線；

一第二液晶電容，其一端連接該第二薄膜晶體管的汲極，另一端連接一共通電極，以接收一第一共通電極訊號，該第二薄膜晶體管接收該第一數據線所傳輸的一數據訊號，該第二掃描線控制該第二薄膜晶體管的開關狀態，使該第二薄膜晶體管根據該數據訊號控制?該第二液晶電容的充放電；以及

一第二儲存電容，其一端連接該第二薄膜晶體管的汲極，另一端連接該第二共通電極線，以接收該第二共通電極線所傳輸的一第二共通電極訊號，該第二儲存電容維持該第二液晶電容的兩端的電位差。

5.根據權利要求1所述的高顯示質量的雙閘極顯示面板，其特征在于：該顯示面板為液晶顯示面板。

6.根據權利要求1所述的高顯示質量的雙閘極顯示面板，其特征在于：該第一、第二畫素的驅動方法包含下列步驟：

該第一數據線傳輸一數據訊號至該第一、第二畫素，且該第一、第二共通電極線分別傳輸一共通電極訊號至該第一、第二畫素；以及

該第一、第二掃描線分別控制該第一、第二畫素接收該數據訊號。

7.根據權利要求3所述的高顯示質量的雙閘極顯示面板，其特征在于：該第一薄膜晶體管的閘極與該些掃描線由一第一金屬層所形成，該第一薄膜晶體管的源、汲極、該些共通電極線與該些資料線由一第二金屬層所形成，且該第一薄膜晶體管的源、汲極位于其閘極的上方。

8.根據權利要求4所述的高顯示質量的雙閘極顯示面板，其特征在于：該第二薄膜晶體管的閘極、該些掃描線由一第一金屬層所形成，該第二薄膜晶體管的源、汲極、該些共通電極線與該些資料線由一第二金屬層所形成，且該第二薄膜晶體管的源、汲極位于其閘極的上方。

9.根據權利要求7或8所述的高顯示質量的雙閘極顯示面板，其特征在于：該第一金屬層上覆蓋有一絕緣層。

10.根據權利要求9所述的高顯示質量的雙閘極顯示面板，其特征在于：該絕緣層上設有一半導體層，其位于該源、汲極的下方，且該第二金屬層設于該半導體層與該絕緣層上。

11.根據權利要求9所述的高顯示質量的雙閘極顯示面板，其特征在于：該半導體層與該第二金屬層上覆蓋有一保護層，且該保護層具有位于該汲極上方的一通孔。

12.根據權利要求11所述的高顯示質量的雙閘極顯示面板，其特征在于：該保護層上設有一電極層，該電極層通過該通孔與對應的該汲極相接觸。