[發明專利]一種毫米波/紅外雙模復合探測用共形天線有效
| 申請號： | 201210058986.9 | 申請日： | 2012-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN102856628A | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發明（設計）人： | 孫維國;陳洪許;王錚;魯正雄;楊暉;張文濤;張亮;梁曉靖;朱旭波 | 申請（專利權）人： | 中國空空導彈研究院 |
| 主分類號： | H01Q1/22 | 分類號： | H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 鄭州睿信知識產權代理有限公司 41119 | 代理人： | 陳浩 |
| 地址： | 471009 *** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 毫米波 紅外 雙模 復合 探測 用共形 天線 | ||
1.?一種毫米波/紅外雙模復合探測用共形天線，其特征在于，它是由透紅外輻射的窗口基體、化合物半導體薄膜貼片、絕緣介質基片、化合物半導體薄膜接地片及與化合物半導體薄膜貼片良好歐姆接觸的饋線組成，所述化合物半導體薄膜貼片間隔設置在窗口基體的內表面上，相應的饋線位于窗口基體的內表面上；窗口基體的內表面及化合物半導體薄膜貼片和饋線由所述絕緣介質基片包覆，所述化合物半導體薄膜接地片覆設在絕緣介質基片上遠離窗口基體一側的表面上。
2.?根據權利要求1所述的毫米波/紅外雙模復合探測用共形天線，其特征在于，所述的化合物半導體薄膜貼片和化合物半導體薄膜接地片的材料選自透紅外輻射的半導體材料。
3.?根據權利要求2所述的毫米波/紅外雙模復合探測用共形天線，其特征在于，所述透紅外輻射的半導體材料為HgMnTe、ZnO、ITO或者InSb。
4.?根據權利要求1所述的毫米波/紅外雙模復合探測用共形天線，其特征在于，所述的窗口基體為球形窗口或者非球面窗口。
5.?根據權利要求1所述的毫米波/紅外雙模復合探測用共形天線，其特征在于，所述的窗口基體材料選取在3～5微米波段具有良好透過率的藍寶石、氟化鎂、尖晶石、ALON或在8～12微米波段具有良好透過率的ZnS。
6.?根據權利要求1所述的毫米波/紅外雙模復合探測用共形天線，其特征在于，所述的絕緣介質基片材料優選為SiO2。
7.根據權利要求1所述的毫米波/紅外雙模復合探測用共形天線，其特征在于，所述化合物半導體薄膜貼片和化合物半導體薄膜接地片的厚度為5-12μm。
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