[發(fā)明專利]一種多晶鑄錠爐及用其生產類單晶硅錠的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210058375.4
• 申請日: 2012-03-07
• 公開（公告）號: CN102560640A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設計）人: 郭志豐;曹靖;徐春良
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06;C30B11/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種用多晶鑄錠爐生產類單晶硅錠的方法，其特征在于，包括：

1)向坩堝的內表面噴涂由氮化硅和純水攪拌而成的涂料，燒結所述涂料并冷卻至室溫；

2)將單晶硅料和多晶硅料依次放入所述坩堝，所述單晶硅料位于所述多晶硅料的底層，且所述單晶硅料在水平方向的晶向一致，然后將裝滿硅料的所述坩堝置于石墨支撐箱內；

3)將放有所述坩堝的所述石墨支撐箱(13)置于所述多晶鑄錠爐(1)內，所述多晶鑄錠爐(1)為已去除底部邊緣碳條的多晶鑄錠爐；

4)將所述多晶鑄錠爐(1)抽真空，開始加熱并監(jiān)測所述多晶鑄錠爐(1)內的溫度，當加熱到設定的溫度時向所述多晶鑄錠爐(1)內充入氬氣；

5)當所述多晶硅料開始熔化時，向所述多晶鑄錠爐(1)的頂端移動所述多晶鑄錠爐(1)內的隔熱籠(11)；

6)當所述多晶硅料全部熔化時，降低加熱溫度，停止所述單晶硅料熔化，并控制熔化的硅料勻速凝固長晶，生成所述類單晶鑄錠。

2.根據(jù)權利要求1所述的用多晶鑄錠爐生產類單晶硅錠的方法，其特征在于，所述步驟1)中所述涂料厚度為1mm。

3.根據(jù)權利要求1所述的用多晶鑄錠爐生產類單晶硅錠的方法，其特征在于，所述步驟1)中采用機器人噴涂所述涂料。

4.根據(jù)權利要求1所述的用多晶鑄錠爐生產類單晶硅錠的方法，其特征在于，所述多晶鑄錠爐(1)底部的隔熱層(15)為一層。

5.根據(jù)權利要求1所述的用多晶鑄錠爐生產類單晶硅錠的方法，其特征在于，所述步驟6)中還包括當多晶硅料全部熔化時，進一步向所述多晶鑄錠爐(1)的頂端移動所述隔熱籠(11)。

6.根據(jù)權利要求1所述的用多晶鑄錠爐生產類單晶硅錠的方法，其特征在于，所述步驟6)中所述硅料熔化結束時，未熔化單晶硅料的厚度在8-12mm之間。

7.根據(jù)權利要求6所述的用多晶鑄錠爐生產類單晶硅錠的方法，其特征在于，所述步驟2)中所述單晶硅料為去除邊緣的單晶邊皮，所述單晶邊皮的最薄部分的厚度不小于所述硅料熔化結束時未熔化的單晶硅料的厚度。

8.根據(jù)權利要求1所述的用多晶鑄錠爐生產類單晶硅錠的方法，其特征在于，所述步驟6中控制所述硅料的長晶速度在10-15mm/h之間。

9.一種生產類單晶硅錠的多晶鑄錠爐，其特征在于，所述多晶鑄錠爐(1)底部的石墨塊(14)的底面與隔熱籠(11)的底面之間沿所述隔熱籠(11)的周向設置有間隙。

10.根據(jù)權利要求9所述的生產類單晶硅錠的多晶鑄錠爐，其特征在于，所述多晶鑄錠爐(1)底部的隔熱層(15)僅為一層。