[發明專利]金屬微結構形成方法

無效

• 申請號: 201210058118.0
• 申請日: 2009-08-21
• 公開（公告）號: CN102621804A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 王宏杰;黃雅如
• 申請（專利權）人: 技鼎股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;C25D5/02
• 代理公司: 北京華夏博通專利事務所 11264
• 代理人: 劉俊

1.一種金屬微結構形成方法，為應用于微結構組件制造過程，其特征在于，該金屬微結構形成方法包含以下步驟：

選取一基板，于該基板上沉積第一種子層再批覆第一層光阻；

進行該第一層光阻烘烤，該第一層光阻經烘烤后，其中溶劑蒸發而變硬，之后進行曝光、顯影，以成形所需的第一層光阻微結構圖案；

在該第一層光阻微結構圖案凹洞內電鍍所需的金屬結構；

進行研磨加工以得到第一層金屬微結構，該研磨加工將使得第一層光阻與電鍍金屬厚度一致；

進行光阻批覆動作，再次進行光阻批覆，以成形第二層光阻；

進行該第二層光阻的烘烤、曝光、顯影，以成形所需的第二層光阻微結構；

沉積第二種子層，該第二種子層為電鍍起始層，具導電性及與該第二層光阻及該電鍍金屬間的附著性，在此，該第二層光阻微結構較該第一層光阻微結構為寬且大；

在該第二層光阻微結構圖案凹洞內電鍍所需的金屬結構；

進行研磨加工以得到第二層金屬微結構，研磨加工將使得該第二層光阻與該電鍍金屬厚度一致；

進行光阻批覆動作，再次進行光阻批覆，以成形第三層光阻；

進行第三層光阻的烘烤、曝光、顯影，以成形所需的第三層光阻微結構；

在該第三層光阻微結構圖案凹洞內電鍍所需的金屬結構；

進行研磨加工以得到第三層金屬微結構，研磨加工將使得該第三層光阻與該電鍍金屬厚度一致；

以溶劑或以反應性離子蝕刻去除該第一層光阻微結構、該第二層光阻微結構、以及該第三層光阻微結構，用以釋出包含該第一層金屬微結構、該第二層金屬微結構、以及該第三層金屬微結構的金屬微結構；以及

以蝕刻液移除未被該第一層金屬微結構、該第二層金屬微結構、以及該第三層金屬微結構所覆蓋的該第一種子層部份，以于該基板上得到該金屬微結構。

2.如權利要求1所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該第一種子層與該第二種子層選取自Cr?under?Au、Ti?under?Au、Ti?under?Cu、或Ti-W?under?Au。

3.如權利要求1所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該沉積的技術選取自蒸鍍、濺鍍、或無電鍍技術。

4.如權利要求1所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該批覆光阻的技術選取自spin?coating、spray?coating、lamination、或casting。

5.如權利要求1所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該批覆光阻為負型。

6.如權利要求1所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該烘烤的方式選取自加熱板直接加熱、烘箱、或紅外線加熱，該曝光的方式選取自X-ray?lithography、UV?lithography、或direct?write?e-beam。

7.如權利要求1所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該研磨加工的方式選取自機化學加工、機械研磨、拋光。

8.如權利要求1所述的金屬微結構形成方法，其特征在于，該金屬微結構選取自Au、Cu、Ni、Ni-Mn?alloy、Ni-Fe?alloy、Ni-Co?alloy、或Sn-Pb。