[發明專利]發光元件有效
| 申請號: | 201210057926.5 | 申請日: | 2012-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN102655222A | 公開(公告)日: | 2012-09-05 |
| 發明(設計)人: | 山崎舜平;瀨尾哲史;大澤信晴;下垣智子;井上英子;門間裕史;尾坂晴惠;鈴木邦彥;竹村保彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 林毅斌;楊思捷 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 | ||
1.一種發光元件,包括:
一對電極;以及
所述一對電極之間的發光層,所述發光層包括:
磷光化合物;
電子傳輸性優越于空穴傳輸性的第一有機化合物:以及
空穴傳輸性優越于電子傳輸性的第二有機化合物,
其中,所述第一有機化合物的三重激發態與基態之間的能量差及所述第二有機化合物的三重激發態與基態之間的能量差都比所述磷光化合物的三重激發態與基態之間的能量差大0.15eV以上。
2.根據權利要求1所述的發光元件,其中,使用所述第一有機化合物及所述第二有機化合物形成激基復合物。
3.根據權利要求2所述的發光元件,其中,通過所述激基復合物的激發能量轉移到所述磷光化合物,使所述磷光化合物發射磷光。
4.根據權利要求1所述的發光元件,其中,使用所述第一有機化合物的陰離子及所述第二有機化合物的陽離子形成所述激基復合物。
5.根據權利要求4所述的發光元件,其中,所述激基復合物的激發能量轉移到所述磷光化合物,所述磷光化合物發射磷光。
6.根據權利要求1所述的發光元件,其中,所述第一有機化合物和所述第二有機化合物中的至少一方為熒光化合物。
7.根據權利要求1所述的發光元件,其中,所述磷光化合物為有機金屬配合物。
8.一種發光元件,包括:
一對電極;以及
所述一對電極之間的發光層,所述發光層包括:
磷光化合物;
電子傳輸性優越于空穴傳輸性的第一有機化合物;以及
空穴傳輸性優越于電子傳輸性的第二有機化合物,
其中,所述第一有機化合物的最低未占有分子軌道(LUMO:Lowest?Unoccupied?Molecular?Orbital)能級比所述磷光化合物的LUMO能級高0.1eV以上。
9.根據權利要求8所述的發光元件,其中,使用所述第一有機化合物及所述第二有機化合物形成激基復合物。
10.根據權利要求9所述的發光元件,其中,通過所述激基復合物的激發能量轉移到所述磷光化合物,使所述磷光化合物發射磷光。
11.根據權利要求8所述的發光元件,其中,使用所述第一有機化合物的陰離子及所述第二有機化合物的陽離子形成所述激基復合物。
12.根據權利要求11所述的發光元件,其中,通過所述激基復合物的激發能量轉移到所述磷光化合物,所述磷光化合物發射磷光。
13.根據權利要求8所述的發光元件,其中,所述第一有機化合物和所述第二有機化合物中的至少一方為熒光化合物。
14.根據權利要求8所述的發光元件,其中,所述磷光化合物為有機金屬配合物。
15.一種發光元件,包括:
一對電極;以及
所述一對電極之間的發光層,所述發光層包括:
磷光化合物;
電子傳輸性優越于空穴傳輸性的第一有機化合物;以及
空穴傳輸性優越于電子傳輸性的第二有機化合物,
其中,所述第二有機化合物的最高占有分子軌道(HOMO:Highest?Occupied?Molecular?Orbital)能級比所述磷光化合物的HOMO能級低0.1eV以上。
16.根據權利要求15所述的發光元件,其中,使用所述第一有機化合物及所述第二有機化合物形成激基復合物。
17.根據權利要求16所述的發光元件,其中,通過所述激基復合物的激發能量轉移到所述磷光化合物,使所述磷光化合物發射磷光。
18.根據權利要求15所述的發光元件,其中,使用所述第一有機化合物的陰離子及所述第二有機化合物的陽離子形成所述激基復合物。
19.根據權利要求18所述的發光元件,其中,通過所述激基復合物的激發能量轉移到所述磷光化合物,所述磷光化合物發射磷光。
20.根據權利要求15所述的發光元件,其中,所述第一有機化合物和所述第二有機化合物中的至少一方為熒光化合物。
21.根據權利要求15所述的發光元件,其中,所述磷光化合物為有機金屬配合物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





