[發明專利]單體、低聚和聚噻吩并[3,2-b]噻吩無效
| 申請號: | 201210057765.X | 申請日: | 2005-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN102702486A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發明(設計)人: | M·黑尼;R·瓦戈納;I·麥克洛奇;S·蒂爾尼 | 申請(專利權)人: | 默克專利股份有限公司 |
| 主分類號: | C08G61/12 | 分類號: | C08G61/12;C09K11/06;C07D495/04;C07D519/00;C07D345/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 宓霞 |
| 地址: | 德國達*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單體 噻吩 | ||
本分案申請是基于申請號為200580015968.0、申請日為2005年4月21日、發明名稱為“單體、低聚和聚噻吩并[3,2-b]噻吩”的中國專利申請的分案申請。?
技術領域
本發明涉及新型單體、低聚和聚噻吩并[3,2-b]噻吩。本發明進一步涉及它們用作半導體或電荷傳輸材料,用于光學、電光學或電子器件如液晶顯示器、光學膜、用于薄膜晶體管液晶顯示器的有機場效應晶體管(FET或OFET),以及集成電路器件如RFID標簽,平板顯示器中的電致發光器件和用于光致電壓和傳感器器件中的用途。本發明進一步涉及包含該新型聚合物的場效應晶體管、發光器件或ID標簽。?
背景技術
在現有技術中,由重復的噻吩單元構成的聚合物已被報道顯示出在FET應用中作為電荷傳輸材料的良好特性。例如,區域規整性聚(3-烷基)噻吩已經證實是迄今為止遷移率記錄為最高的聚合物之一(Sirringhaus等人,ScienGe,1998,280,第1741頁)。此外,例如在EP?1327646A1、EP?1327647A1,EP?1329474A1或EP?1329475A1中公開的包含烷基噻吩的不同數目和區域異構體的聚噻吩類似物顯示合理的載流子遷移率。?
這一特性據認為歸因于兩個因素。首先,在聚合物骨架上布置烷基側鏈允許該聚合物在從溶液中涂覆時自動組織成有序結構。這有助于支配電荷傳輸的躍遷機理。其次,在聚合物骨架中存在硫原子已經顯示對電荷傳輸有益。雖然不知道精確的機理,但是據推測在相鄰聚合物鏈上的硫d-軌道的相互作用有助于電荷躍遷機理。?
然而,上述現有技術文獻中公開的聚合物僅顯示不多于0.1cm2V-1s-1的載流子遷移率。此外,現有技術的材料經常僅顯示有限的溶解度,這在加工聚合物時用于制造半導體器件如薄膜晶體管(TFT)或場效應晶體管(FET)時是一個缺點。?
因此,為了實現晶體管特性,進一步增強有機聚合物的電荷遷移率和溶解性是希望的。?
發明內容
本發明的目的是提供用作半導體或電荷傳輸材料的新型有機材料,其容易合成、具有高的電荷遷移率和良好的可加工性。該材料特別是應該可以容易地加工形成用于半導體器件中的薄和大面積的膜。此外,該材料應該是氧化穩定的,然而保持或甚至改進所需的電學性能。?
本發明的發明人已經發現基于噻吩并[3,2-b]噻吩(1)(TT)的材料?
R=例如,烷基?
尤其是包含3,6-二取代的TT基團和/或取代的噻吩或硒吩基的TT的低聚物和(共)聚合物,顯示出提高的載流子遷移率而同時保持希望的可溶液加工性能。?
TT材料在現有技術中是已知的。例如,Nakayama等人,Heterocycles,1994,38,第143頁報道了3,6-二甲基TT。Saidman等人,J.Appl.Electrochemistry,2001,31,第839頁報道了3,6-二甲基TT的電致聚合,然而,這僅獲得不溶解的聚合物。Nakayama等人,Tetrahedron,1996,52,第471頁報道了3,6-二甲基TT的二聚物、三聚物和四聚物。該四聚物同樣具有非常低的溶解度并且沒有報道電學性能。?
Fuller等人,J.Chem.Soc.Perkin?Trans.1997,1,3465-70報道了?含硫代烷基(-S-Me、-S-Ph)和甲硅烷基烷基(-Si(Me)3)取代基的3,6-二取代的TT。然而,沒有公開聚合物。此外,硫醚經常是不合需要的,因為這些側鏈的富電子性會產生氧化方面不穩定的聚合物。?
在現有技術中,也有含未取代的TT的聚合物的一些報道。Kossmehl等人,Makromol.Chem.1982,183,第2747頁報道了含例如亞乙烯基連接基的TT的共聚合物。然而,這些聚合物是溶解性差的并且沒有報道它們的電學表征。Rutherford等人,Macromolecules,1992,125,第2294頁報道了含炔基連接基的TT的合成和電致聚合的未取代或單甲基化的TT的合成。所有這些聚合物同樣是不溶性的。?
WO99/12989公開了將包含兩個或更多個稠合噻吩環的低聚物和聚合物用于TFT和FET中,這些噻吩環可以是取代或未取代的。然而,沒有對具有二取代的TT的(共)聚合物或它們的制備進行具體地公開。?
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