[發(fā)明專利]電子部件裝配方法以及電子部件裝配裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210057333.9 | 申請(qǐng)日: | 2012-02-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102655100A | 公開(公告)日: | 2012-09-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 百瀨一久 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 亞企睦自動(dòng)設(shè)備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/607 | 分類號(hào): | H01L21/607;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;郭曉東 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 部件 裝配 方法 以及 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及在利用柱形凸起(stud?bump)來裝配電子部件時(shí)所使用的電子部件裝配方法。
背景技術(shù)
以往,在裝配電子部件時(shí),廣泛利用柱形凸起以便確保電連接。該柱形凸起是形成微細(xì)的金屬凸起的方法之一。例如使用直徑25微米的金線,通過放電加熱暫時(shí)形成金球,并通過超聲波加工使該金球與電子部件的電極部分接合,然后將金線斷開,從而能夠形成直徑約90微米的金制的柱形凸起。若使用直徑更細(xì)的金屬線,則能夠形成更微小的柱形凸起。一般來說,所述柱形凸起分別形成在半導(dǎo)體芯片的電極上(參照專利文獻(xiàn)1)。
在將電極上形成有柱形凸起的半導(dǎo)體芯片安裝在安裝基板上時(shí),使用所謂的倒裝芯片安裝裝置。在該倒裝芯片安裝裝置中,對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行搬動(dòng)(handling),來將半導(dǎo)體芯片在其電極及柱形凸起朝向下側(cè)的狀態(tài)下配置在安裝基板的規(guī)定位置上,并使安裝基板和半導(dǎo)體芯片相接合(參照專利文獻(xiàn)2)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2006-278454號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開2001-77593號(hào)公報(bào)
在現(xiàn)有的電子部件裝配方法中,具有如下方法:在半導(dǎo)體芯片的電極上形成柱形凸起,之后,一邊搬動(dòng)該半導(dǎo)體芯片,一邊將該半導(dǎo)體芯片安裝在基板上。其結(jié)果,半導(dǎo)體芯片上的柱形凸起處于常溫狀態(tài)(低溫狀態(tài))。柱形凸起的溫度越低,其剛性越高,因此,在利用柱形凸起來接合基板和半導(dǎo)體芯片時(shí),存在容易對(duì)基板及半導(dǎo)體芯片施加沖擊這樣的問題。
另一方面,若對(duì)半導(dǎo)體芯片的柱形凸起進(jìn)行加熱之后再將半導(dǎo)體芯片安裝在基板上,則存在如下這樣的問題:該柱形凸起發(fā)生多次熱循環(huán)而使柱形凸起自身劣化,或使半導(dǎo)體芯片也受到熱影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的,其目的在于提供一種能夠降低裝配時(shí)的熱影響,并能夠利用柱形凸起來高效裝配電子部件的電子部件裝配方法。
通過本發(fā)明者的專心研究,上述目的能夠通過如下實(shí)現(xiàn)。
實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明的電子部件裝配方法,其特征在于,包括:
柱形凸起形成工序,一邊將基板加熱為比常溫更高的溫度,一邊通過柱形凸起形成裝置在所述基板上形成金屬的柱形凸起,
電子部件片安裝工序,在形成所述柱形凸起之后,維持不使所述基板的溫度下降至常溫的狀態(tài),利用芯片接合機(jī)在所述基板的所述柱形凸起上配置電子部件片并進(jìn)行超聲波接合。
優(yōu)選上述的電子部件裝配方法,其特征在于,
在所述柱形凸起形成工序之前,包括預(yù)先對(duì)所述基板進(jìn)行加熱的基板預(yù)熱工序。
優(yōu)選上述的電子部件裝配方法,其特征在于,
在所述電子部件片安裝工序之后,包括:使所述基板以比自然放冷更緩慢的溫度下降速度進(jìn)行散熱的基板慢冷卻工序。
優(yōu)選上述的電子部件裝配方法,其特征在于,
所述電子部件片安裝工序包括:
基板搬運(yùn)工序,在所述柱形凸起形成工序之后,在特定時(shí)間范圍內(nèi),將所述基板從所述柱形凸起形成裝置搬運(yùn)至所述芯片接合機(jī),其中,所述特定時(shí)間范圍是指,能夠維持不使所述基板的溫度下降至常溫的狀態(tài)的時(shí)間范圍,
超聲波接合工序,在搬運(yùn)所述基板之后,一邊對(duì)所述基板進(jìn)行加熱,一邊對(duì)所述電子部件片進(jìn)行超聲波接合。
優(yōu)選上述的電子部件裝配方法,其特征在于,
在所述電子部件安裝工序的所述基板搬運(yùn)工序中,在將所述基板的溫度變化控制在20度以內(nèi)的狀態(tài)下,將所述基板從所述柱形凸起形成裝置搬運(yùn)至所述芯片接合機(jī)。
優(yōu)選上述的電子部件裝配方法,其特征在于,
在所述電子部件安裝工序的所述基板搬運(yùn)工序中,一邊對(duì)基板搬運(yùn)裝置中的用于保持所述基板的保持部進(jìn)行溫度控制,一邊搬動(dòng)所述基板,由此將所述基板從所述柱形凸起形成裝置搬運(yùn)至所述芯片接合機(jī)。
優(yōu)選上述的電子部件裝配方法,其特征在于,
在所述柱形凸起形成工序中,將所述基板加熱至80度以上,
在所述電子部件片安裝工序中,在形成所述柱形凸起之后維持不使所述基板的溫度下降至60度以下的狀態(tài)的情況下,對(duì)所述電子部件片和所述柱形凸起進(jìn)行超聲波接合。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明的電子部件裝配裝置,其特征在于,具有:
柱形凸起形成裝置,具有將基板加熱為比常溫更高的溫度的加熱板,并且在所加熱的所述基板上形成金屬的柱形凸起;
芯片接合機(jī),在形成所述柱形凸起形成之后,維持不使所述基板的溫度下降至常溫的狀態(tài),在所述基板的所述柱形凸起上配置電子部件片并進(jìn)行超聲波接合。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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