[發明專利]光半導體元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210057179.5
• 申請日: 2012-03-06
• 公開（公告）號: CN102683513A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 齋藤龍舞
• 申請（專利權）人: 斯坦雷電氣株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/22;H01L33/16
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種包括半導體膜的光半導體元件的制造方法，該半導體膜具有六方晶系的晶體結構，所述制造方法包括：

在所述半導體膜的表面中形成多個凹部的步驟，該多個凹部沿所述半導體膜的晶軸等間隔地排列；以及

對所述半導體膜的表面進行蝕刻處理，從而在所述半導體膜的表面中形成多個突起的步驟，該多個突起按照所述多個凹部的排列方式排列且源自于所述半導體膜的晶體結構。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其中，與任一凹部相鄰的其它凹部分別位于正六邊形的頂點處，所述多個凹部被配置成：所述正六邊形的兩個相對的邊平行于所述半導體膜的晶軸的[1-100]方向或[11-20]方向。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述多個突起各具有六面錐形狀，且形成為構成最密堆積結構。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述半導體膜的所述表面是C面，且在所述多個凹部各自的內壁露出多個晶面。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述多個凹部中的相鄰凹部之間的距離大于從所述半導體膜發出的光的波長。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述蝕刻處理是利用了堿溶液的濕蝕刻。

7.根據權利要求1所述的制造方法，該制造方法還包括以下步驟：

在生長襯底上對所述半導體膜進行晶體生長；

在所述半導體膜上形成支承襯底；以及

去除所述生長襯底，

其中所述多個凹部是隔著掩模對所述半導體膜的由于去除所述生長襯底而露出的露出面進行蝕刻而形成的。

8.根據權利要求1所述的制造方法，該制造方法還包括以下步驟：

在生長襯底上對所述半導體膜進行晶體生長；

在所述半導體膜上形成支承襯底；以及

去除所述生長襯底，

其中所述生長襯底在其晶體生長面上具有多個突起，該多個突起分別對應于所述多個凹部，且所述多個凹部是通過在所述生長襯底的所述晶體生長面上對所述半導體膜進行晶體生長而形成的。

9.一種包括半導體膜的光半導體元件，該半導體膜具有六方晶系的晶體結構，其中，所述半導體膜在其表面中具有源自于所述半導體膜的的晶體結構的多個六面錐狀的突起，且所述多個突起被形成為構成沿著所述半導體膜的晶軸的最密堆積結構。

10.根據權利要求9所述的光半導體元件，其中，所述半導體膜由GaN基半導體形成。

11.根據權利要求9所述的光半導體元件，其中，所述多個六面錐狀的突起均大于從所述半導體膜發出的光的波長。