[發(fā)明專利]光伏器件表面納米化干法制絨制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210057146.0
• 申請(qǐng)日: 2012-03-05
• 公開（公告）號(hào): CN103296134A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉鋼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 張家港費(fèi)曼光電科技有限公司;劉鋼
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.光伏器件表面納米化干法制絨制備方法

本專利公開張家港費(fèi)曼光電科技有限公司獨(dú)立開發(fā)的光伏器件表面納米干法制絨制備方法，是用特殊的刻蝕制造工藝對(duì)太陽(yáng)能單晶硅電池片、多晶硅電池片及非晶硅電池片表面進(jìn)行納米化處理，從而達(dá)到太陽(yáng)能電池片制絨制備工藝，通過選擇各種半導(dǎo)體材料的能帶，晶體構(gòu)向和納米表面結(jié)構(gòu)可以達(dá)到增強(qiáng)的吸收太陽(yáng)光波段的光電特性。照射在這種特殊的納米功能化硅晶圓表面的光子可以被完全捕獲而無(wú)法逃離，從而全部轉(zhuǎn)化為電能。另外這種特殊納米結(jié)構(gòu)對(duì)于硅材料對(duì)從紫外、可見光一直到近紅外波段的光線吸收都有著極為顯著的提高。另外與傳統(tǒng)單晶多晶硅電子空穴結(jié)器件如固體硅光伏電池相比，我們的納米功能化硅材料有著更大的電子空穴結(jié)截面積，這樣使得光電轉(zhuǎn)換效率得到極大提高。制備工藝結(jié)束后可以達(dá)到：1、利用表面納米結(jié)構(gòu)捕獲更多的太陽(yáng)光能，使得所有電池片的反射光損失在從300納米至1000納米波長(zhǎng)的范圍內(nèi)都在5％以下，在紫外、可見光和近紅外波段在各個(gè)入射角度都達(dá)到了95％以上，特別是在可見光波段對(duì)光線的捕捉率達(dá)到99％以上；、重新分布上表面的電子發(fā)射微米和納米機(jī)構(gòu)；提高金屬電極與硅表面的接觸狀況減小阻耗；、優(yōu)化鈍化層機(jī)構(gòu)進(jìn)一步減少電子空穴的重新結(jié)合帶來(lái)的損耗，由于特殊的納米結(jié)構(gòu)和晶體分子構(gòu)向的匹配，納米硅層與鈍化層和導(dǎo)電層形成了晶格間的緊密接觸從而形成良好的電子收集機(jī)構(gòu)。當(dāng)太陽(yáng)光照射到半導(dǎo)體電子空穴結(jié)時(shí)，通過光電效應(yīng)可以產(chǎn)生很多電子和空穴對(duì)；五、整個(gè)制備過程中可以有效的杜絕現(xiàn)有濕法制絨工藝中化學(xué)制劑對(duì)周邊環(huán)境，特別是水域環(huán)境的污染。實(shí)現(xiàn)將現(xiàn)有的硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)成本降低10％-15％，并同時(shí)將現(xiàn)有的中低端低價(jià)光伏產(chǎn)品的光電轉(zhuǎn)化效率提高20％-30％的目標(biāo)。

特請(qǐng)求保護(hù)本專利中提到的通過特殊的刻蝕制造工藝對(duì)太陽(yáng)能單晶硅電池片、多晶硅電池片及非晶硅電池片表面進(jìn)行納米化處理的一切方法，其特殊的刻蝕制造工藝包括光刻蝕、X射線刻蝕、電子束刻蝕和離子刻蝕。