[發明專利]雙面發電MWT太陽能電池的制備方法

無效

• 申請號: 201210056939.0
• 申請日: 2012-03-06
• 公開（公告）號: CN102593257A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 陳迎樂;趙文超;王建明;王子謙;沈燕龍;李高非;胡志巖;熊景峰
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種雙面發電MWT太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：

在硅片上表面形成PN結，在其下表面形成背場；

采用激光在所述硅片的預設位置處打孔；

采用絲網印刷工藝將腐蝕性材料印刷在激光所打孔的周圍的預設范圍內；

對所述腐蝕性材料進行烘干；

對所述硅片進行清洗。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述硅片進行清洗之后，還包括：

在所述PN結和背場上分別形成氮化硅膜；

在硅片上印刷過孔漿料、背面柵線和正面柵線，并燒結。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述腐蝕性材料進行烘干的溫度為200～300℃。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述腐蝕性材料為含KOH的漿料。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光所打孔的周圍的預設范圍為：以激光所打的孔為圓心，半徑為0.5～5mm的范圍。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，激光所打孔的孔徑為50～500μm。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述激光為固體或氣體脈沖激光器，激光的波長為300～1600nm，其脈沖長度為10ps～300ns，重復頻率為100～200KHz，激光光斑為5～100μm。

8.根據權利要求1～7任一項所述的方法，其特征在于，對所述硅片進行清洗的時間大于1min。