[發(fā)明專利]一種三維堆疊硅片層間紅外通信結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210056933.3
• 申請(qǐng)日: 2012-03-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102624446A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉勝;汪學(xué)方;方靖;呂植成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H04B10/02
• 分類號(hào): H04B10/02;H01L25/00
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心 42201
• 代理人: 曹葆青

1.一種三維堆疊硅片層間紅外通信結(jié)構(gòu)，其特征在于，該通信結(jié)構(gòu)包括上層芯片和下層芯片；

上層芯片的一端有紅外發(fā)射裝置，另一端有第一紅外反射裝置，第一紅外反射裝置材料與上層芯片材料一致，且與上層芯片成45°角，第一紅外反射裝置表面鍍有高反射率的薄膜，其反射面全覆蓋紅外發(fā)射裝置發(fā)射出的紅外信號(hào)范圍，紅外發(fā)射裝置底部有球柵陣列與上層芯片通信；

下層芯片上的一端有紅外接收裝置，另一端鍵合有第二紅外反射裝置，第二紅外反射裝置材料與下層芯片材料一致，且與下層芯片成45°角，第二紅外反射裝置表面鍍有高反射率的薄膜；

上層芯片、下層芯片鍵合在一起，鍵合后第一紅外反射裝置和第二紅外反射裝置的反射面呈90°角，且位于通信結(jié)構(gòu)的同一端；

第一紅外反射裝置接收紅外發(fā)射裝置發(fā)射的紅外信號(hào)，其反射信號(hào)透過(guò)上層芯片、下層芯片到達(dá)第二紅外反射裝置，再由第二紅外反射裝置反射至紅外接收裝置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維堆疊硅片層間紅外通信結(jié)構(gòu)，其特征在于，上層芯片和下層芯片上均帶有濕法腐蝕的凹槽結(jié)構(gòu)，上層芯片和下層芯片的凹槽結(jié)構(gòu)在鍵合后形成一個(gè)空腔，第二紅外反射裝置和紅外接收裝置位于該空腔中。