[發(fā)明專利]一種薄膜太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210056922.5 | 申請日： | 2012-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN102637752A | 公開（公告）日： | 2012-08-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 許宜申;顧濟華;陶智;吳迪 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | H01L31/0232 | 分類號： | H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215123 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 薄膜 太陽能電池 | ||
1.一種薄膜太陽能電池，其特征在于：包括基底、金屬薄膜層或布拉格反射層、硅薄片、微納米結(jié)構(gòu)或多層膜抗反射層以及薄膜微透鏡陣列層，所述基底表面帶有微納米結(jié)構(gòu)，所述微納米結(jié)構(gòu)的底部或脊區(qū)設(shè)有所述金屬薄膜層或者布拉格反射層，所述硅薄片的表面設(shè)有微納米結(jié)構(gòu)層和/或多層膜抗反射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽能電池，其特征在于：所述基底表面的微納米結(jié)構(gòu)深度大于500nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽能電池，其特征在于：所述基底為柔性透明材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽能電池，其特征在于：所述硅薄片的長寬尺寸與金屬薄膜層或布拉格反射層相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽能電池，其特征在于：所述硅薄片表面的微納米結(jié)構(gòu)為一維、二維或三維周期性結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽能電池，其特征在于：所述薄膜微透鏡陣列層為一維或二維周期性結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽能電池，其特征在于：所述薄膜微透鏡陣列層為柔性透明材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽能電池，其特征在于：所述薄膜微透鏡為光學透鏡，所述薄膜微透鏡的入射光角度落在±60度入射角范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽能電池，其特征在于：在400nm～1100nm的入射波長下，薄膜太陽能電池的表面反射率低于10％。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽能電池，其特征在于：在400nm～800nm的入射波長下，薄膜太陽能電池對光能的吸收率高于45％。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
