[發(fā)明專(zhuān)利]電荷積分多線(xiàn)性圖像傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210056894.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-01-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102623479A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | F·邁耶爾 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | E2V半導(dǎo)體公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/148 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/148;H04N5/335 |
| 代理公司: | 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 舒雄文;蹇煒 |
| 地址: | 法國(guó)圣*** | 國(guó)省代碼: | 法國(guó);FR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電荷 積分 線(xiàn)性 圖像傳感器 | ||
1.一種以時(shí)延和電荷積分進(jìn)行操作的電荷轉(zhuǎn)移圖像傳感器,所述傳感器包括:N個(gè)相鄰的像素線(xiàn),每個(gè)像素線(xiàn)有P個(gè)像素,用于通過(guò)由數(shù)個(gè)像素線(xiàn)相繼觀(guān)察同一圖像線(xiàn)并累積由各個(gè)線(xiàn)中的給定排列的像素中的圖像點(diǎn)所生成的電荷,所述像素形成在第一類(lèi)型導(dǎo)電性的半導(dǎo)電層中,所述第一類(lèi)型導(dǎo)電性的半導(dǎo)電層由對(duì)光透明的絕緣柵極覆蓋;以及被設(shè)置用于向所述柵極施加交替的電勢(shì),以容許存儲(chǔ)電荷并且然后從一個(gè)柵極向下一個(gè)柵極定向轉(zhuǎn)移所述電荷的構(gòu)件,其特征在于:像素包括所述半導(dǎo)電層以上的一連串?dāng)?shù)個(gè)絕緣柵極,一個(gè)像素的所述柵極通過(guò)位于第二類(lèi)型導(dǎo)電性的摻雜區(qū)域以上的狹窄未覆蓋的間隙彼此分離并且與另一線(xiàn)的相鄰像素的所述柵極分離,所述第二類(lèi)型導(dǎo)電性的摻雜區(qū)域由所述第一類(lèi)型的摻雜表面區(qū)域覆蓋,所述表面區(qū)域保持在同一參考電勢(shì),相鄰柵極之間的所述狹窄間隙的寬度使得當(dāng)與所述間隙相鄰的柵極接收交替的高和低電勢(shì)時(shí),所述第二類(lèi)型的所述摻雜區(qū)域的內(nèi)部電勢(shì)在所述狹窄間隙的整個(gè)寬度中被更改。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于:所述參考電勢(shì)是所述第一類(lèi)型的所述半導(dǎo)電層的公共電勢(shì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器,其特征在于:所述第一類(lèi)型導(dǎo)電性的所述表面區(qū)域均與毗連所述半導(dǎo)電層的相同類(lèi)型的深擴(kuò)散部相鄰。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的一項(xiàng)所述的圖像傳感器,其特征在于:所述像素包括通過(guò)狹窄間隙分離的四個(gè)相鄰的柵極,并且其特征在于:通過(guò)四個(gè)相位來(lái)控制所述像素,即,各像素中的同一行的所有的所述柵極接收取自所述四個(gè)相位的同一相位。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的一項(xiàng)所述的圖像傳感器,其特征在于:所述像素包括通過(guò)狹窄間隙分離的三個(gè)相鄰的柵極,并且其特征在于:通過(guò)三個(gè)相位來(lái)控制所述像素,即,各像素中的同一行的所有的所述柵極接收取自所述三個(gè)相位的同一相位。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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