[發(fā)明專利]生長在LiGaO2襯底上的非極性InN薄膜及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210056851.9 | 申請日： | 2012-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN102560675A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李國強;楊慧 | 申請（專利權(quán)）人： | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;C30B25/18;C30B25/02 |
| 代理公司： | 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人： | 楊曉松 |
| 地址： | 510641 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 生長 ligao sub 襯底 極性 inn 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.生長在LiGaO2襯底上的非極性InN薄膜，其特征在于，包括生長在LiGaO2襯底上的非極性a面InN緩沖層及生長在非極性a面InN緩沖層上的非極性a面InN外延層；所述非極性a面InN緩沖層是在襯底溫度為300-350℃時生長的InN層；所述非極性a面InN層是在襯底溫度為500-550℃時生長的InN層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在LiGaO2襯底上的非極性InN薄膜，其特征在于，所述非極性a面InN緩沖層的厚度為50-100nm。
3.生長在LiGaO2襯底上的非極性InN薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)選取襯底以及晶體取向：采用LiGaO2襯底，選擇的晶體取向為(001)晶面；
(2)對襯底進行退火處理：將襯底在900-1000℃下高溫烘烤3-5h后空冷至室溫；
(3)對襯底進行表面清潔處理；
(4)采用低溫分子束外延工藝生長非極性a面InN緩沖層，工藝條件為：襯底溫度為300-350℃，反應(yīng)室壓力為4-5×10-5Pa、V/III比為35-50、生長速度為0.5-0.7ML/s；
(5)采用低溫分子束外延工藝生長非極性a面InN外延層，工藝條件為：襯底溫度升至500-550℃，反應(yīng)室壓力為3-5×10-5pa、V/III比為30-40、生長速度為0.7-0.9ML/s。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的生長在LiGaO2襯底上的非極性InN薄膜的制備方法，其特征在于，所述非極性a面InN緩沖層的厚度為50-100nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的生長在LiGaO2襯底上的非極性InN薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述對襯底進行表面清潔處理，具體為：將LiGaO2襯底放入去離子水中室溫下超聲清洗5-10分鐘，去除LiGaO2襯底表面粘污顆粒，再依次經(jīng)過鹽酸、丙酮、乙醇洗滌，去除表面有機物；清洗后的LiGaO2襯底用高純干燥氮氣吹干；之后將LiGaO2襯底放入低溫分子束外延生長室，在超高真空條件下，將襯底溫度升至850-900℃，高溫烘烤20-30分鐘，除去襯LiGaO2底表面殘余的雜質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的生長在LiGaO2襯底上的非極性InN薄膜的制備方法，其特征在于，所述超高真空條件為壓力小于6×10-7Pa。
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