[發明專利]將氮化鎵基發光二極管的外延結構表面粗化的方法有效
| 申請號： | 201210056638.8 | 申請日： | 2012-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN102544289A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 田婷;張逸韻;耿雪妮;李璟;伊曉燕;王國宏 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 發光二極管 外延 結構 表面 方法 | ||
1.一種將氮化鎵基發光二極管的外延結構表面粗化的方法，包括以下步驟：
步驟1：取一外延結構；
步驟2：配制一預定比例的混合溶液，將外延結構表面浸入混合溶液中，隨即撈出；
步驟3：烘干，從而在外延結構的表面形成規則排列的由混合溶液析出的顆粒掩膜；
步驟4：以所述的顆粒掩膜作為掩膜，對外延結構表面進行刻蝕，使得外延結構表面粗糙化；
步驟5：清洗去掉外延結構上的掩膜，完成粗化方法的制備。
2.根據權利要求1所述的將氮化鎵基發光二極管的外延結構表面粗化的方法，其中步驟1之后還包括，在外延結構上制備一層透明電極，表面粗化是在透明電極上進行的。
3.根據權利要求1所述的將氮化鎵基發光二極管的外延結構表面粗化的方法，其中所述顆粒掩膜的顆粒的直徑為300nm至5μm。
4.根據權利要求1所述的將氮化鎵基發光二極管的外延結構表面粗化的方法，其中混合溶液由氯化鈉、水和乙醇配制。
5.根據權利要求4所述的將氮化鎵基發光二極管的外延結構表面粗化的方法，其中混合溶液中的氯化鈉飽和溶液和乙醇的體積比為1∶1-1∶10。
6.根據權利要求1所述的將氮化鎵基發光二極管的外延結構表面粗化的方法，其中烘干的溫度為80℃-130℃。
7.根據權利要求1所述的將氮化鎵基發光二極管的外延結構表面粗化的方法，其中外延結構表面浸入混合溶液中的時間為3秒-60秒。
8.根據權利要求2所述的將氮化鎵基發光二極管的外延結構表面粗化的方法，其中透明電極的材料為氧化銦錫或氧化鋅，或及其組合，其厚度為100nm-1μm。
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