[發明專利]電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201210056505.0
• 申請日: 2012-03-06
• 公開（公告）號: CN103311443A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;黃輝;陳吉星
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極導電玻璃基底、量子阱結構層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；其中，量子阱結構層包括層疊的金屬氧化物層與4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺層，且4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺層層疊于金屬氧化物層與發光層之間；所述金屬氧化物層與4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺層的厚度分別為5-20nm。

2.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述陽極導電玻璃選自銦錫氧化物玻璃、摻鋁的氧化鋅玻璃或摻銦的氧化鋅玻璃。

3.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述金屬氧化物層的材質選自三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩。

4.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述量子阱結構層中，量子阱的周期數為1～5周。

5.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述發光層的材質為摻雜材料按照質量百分比1～20％的比例摻雜到主體材料中組成的混合材料；其中，摻雜材料選自雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥或三(2-苯基吡啶)合銥；主體材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯苯二胺；所述發光層的厚度為2-30nm。

6.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材質選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；所述電子傳輸層的厚度為40-80nm。

7.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述電子注入層的材質選自碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰；所述電子注入層的厚度為0.5-10nm。

8.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述陰極層的材質選自銀、鋁、鉑或金；所述陰極層的厚度為80～250nm。

9.權利要求1所述的電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟；

S1、將陽極導電玻璃基底進行光刻處理，隨后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除有機污染物；

S2、將清洗干凈后對陽極導電玻璃基底上的陽極層進行氧等離子處理，處理時間為5-15min，功率為10-50W；

S3、在陽極導電玻璃基底的陽極層表面蒸鍍量子阱結構層：先蒸鍍作為量子阱勢壘的金屬氧化物層，然后在金屬氧化物層表面蒸鍍作為量子阱勢阱的4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺層，每層厚度為5-20nm；

S4、采用蒸鍍工藝，在量子阱表面依次層疊蒸鍍發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；

上述工藝步驟完成后，制得電致發光器件。