[發明專利]鈮鎵酸鉛-鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛鐵電單晶及其制備方法在審
| 申請號： | 201210056303.6 | 申請日： | 2012-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN102534788A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 沈東全;龍西法;李修芝;王祖建;劉穎;李濤 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | C30B29/22 | 分類號： | C30B29/22;C30B29/30;C30B29/32;C30B17/00;C30B11/00 |
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| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈮鎵酸鉛 鈮鎂酸鉛 鉛鐵 電單晶 及其 制備 方法 | ||
1.鈮鎵酸鉛-鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛鐵電單晶，其特征在于：該材料化學式為(1-x-y)Pb(Ga1/2Nb1/2)O3-xPb(Mg1/3Nb2/3)O3-yPbTiO3，屬于典型的鈣鈦礦結構且該固溶體存在準同型相界區。
2.根據權利要求1所述的鐵電單晶，特征在于：該材料的化學組成為0.01PGN-0.54PMN-0.45PT。
3.一種權利要求1所述的鐵電單晶材料的制備方法，包括如下生長步驟：
a)將初始原料PbO或Pb3O4、Ga2O3、TiO2、MgO、Nb2O5按晶體的化學組成進行配比；
b)助溶劑采用PbO或Pb3O4和H3BO3或B2O3復合助溶劑；
c)將晶體原料和助溶劑在容器中混合研磨；
d)將混合均勻的粉料裝入鉑金坩堝中，并把鉑金坩堝置于晶體生長爐中化料；
e)在晶體生長過程中將原料加熱至950-1200℃之間，恒溫一定時間，然后以每天1-20℃的速率降溫；生長結束，以5-30℃/h降溫退火，后取出晶體。
4.一種權利要求1所述的鐵電單晶的制備方法，包括如下生長步驟：
a)將初始原料PbO或Pb3O4、Ga2O3、TiO2、MgO、Nb2O5按晶體的化學組成進行配比；
b)助溶劑采用PbO或Pb3O4和H3BO3或B2O3復合助溶劑；
c)將晶體原料和助溶劑在容器中混合研磨；
d)將混合均勻的粉料裝入鉑金坩堝中，并把鉑金坩堝置于晶體生長爐中化料；
e)在晶體生長過程中將原料加熱至950-1200℃之間，恒溫一定時間；然后用高溫溶液法生長的籽晶找到過飽和溫度，在過飽和溫度引入籽晶生長，生長過程中晶轉速率為5-30rpm，降溫速率為每天0.2-5℃；生長結束，以5-30℃/h降溫退火，后取出晶體。
5.根據權利要求4所述的鐵電單晶的制備方法，其特征在于：所述的籽晶生長方向為(001)或(110)或(111)方向。
6.一種權利要求1所述的鐵電單晶的用途，其特征在于：該材料用于壓電領域的器件上。
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