[發(fā)明專利]一種白光LED發(fā)光裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210055797.6 | 申請日： | 2012-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN102593340A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周濟;李幸運;劉世香 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類號： | H01L33/64 | 分類號： | H01L33/64;H01L33/50;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人： | 關(guān)暢 |
| 地址： | 100084*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 白光 led 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種白光LED發(fā)光裝置，其特征在于：所述發(fā)光裝置包括LED芯片、散熱基板、熒光LTCC薄片、反光杯和電極框架；
所述LED芯片鍵合于所述散熱基板上；所述熒光LTCC薄片套設(shè)于所述LED芯片上并包覆所述LED芯片的上表面和四個側(cè)面；所述反光杯套設(shè)于所述熒光LTCC薄片周圍；所述LED芯片通過引線連接至所述電極框架；
所述熒光LTCC薄片的材質(zhì)為CaO-B2O3-SiO2:RE體系或BaO-TiO2-SiO2-B2O3:RE體系，其中，RE為Eu3+、Dy3+或Tb3+；所述CaO-B2O3-SiO2:RE體系中，CaO、B2O3、SiO2和RE的摩爾份數(shù)比為(10～15)∶(20～30)∶(55～60)∶(1～8)；所述BaO-TiO2-SiO2-B2O3:RE體系中，BaO、TiO2、SiO2、B2O3和RE的摩爾份數(shù)比為(15～18)∶(25～28)∶(70～73)∶(8～11)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光裝置，其特征在于：所述LED芯片為可發(fā)出紫外、藍(lán)或綠光的InGaN系芯片；所述LED芯片的襯底為藍(lán)寶石。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED發(fā)光裝置，其特征在于：所述LED芯片為由
N型氮化物、發(fā)光層InGaN和P型氮化物組成的半導(dǎo)體層；所述N型氮化物半導(dǎo)體層上的電極為負(fù)極，所述P型氮化物半導(dǎo)體層上的電極為正極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的LED發(fā)光裝置，其特征在于：所述白光LED發(fā)光裝置外還封裝有透鏡。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED發(fā)光裝置，其特征在于：所述透鏡的材質(zhì)為陶瓷、樹脂或玻璃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一所述的LED發(fā)光裝置，其特征在于：所述散熱基板為LTCC低溫共燒陶瓷基板或LTCC-M低溫共燒陶瓷-金屬復(fù)合基板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于清華大學(xué)，未經(jīng)清華大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210055797.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
