[發(fā)明專利]一種白光LED發(fā)光裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210055797.6 | 申請日: | 2012-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN102593340A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周濟;李幸運;劉世香 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號: | H01L33/64 | 分類號: | H01L33/64;H01L33/50;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 關(guān)暢 |
| 地址: | 100084*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 白光 led 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種白光LED發(fā)光裝置,其特征在于:所述發(fā)光裝置包括LED芯片、散熱基板、熒光LTCC薄片、反光杯和電極框架;
所述LED芯片鍵合于所述散熱基板上;所述熒光LTCC薄片套設(shè)于所述LED芯片上并包覆所述LED芯片的上表面和四個側(cè)面;所述反光杯套設(shè)于所述熒光LTCC薄片周圍;所述LED芯片通過引線連接至所述電極框架;
所述熒光LTCC薄片的材質(zhì)為CaO-B2O3-SiO2:RE體系或BaO-TiO2-SiO2-B2O3:RE體系,其中,RE為Eu3+、Dy3+或Tb3+;所述CaO-B2O3-SiO2:RE體系中,CaO、B2O3、SiO2和RE的摩爾份數(shù)比為(10~15)∶(20~30)∶(55~60)∶(1~8);所述BaO-TiO2-SiO2-B2O3:RE體系中,BaO、TiO2、SiO2、B2O3和RE的摩爾份數(shù)比為(15~18)∶(25~28)∶(70~73)∶(8~11)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光裝置,其特征在于:所述LED芯片為可發(fā)出紫外、藍(lán)或綠光的InGaN系芯片;所述LED芯片的襯底為藍(lán)寶石。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED發(fā)光裝置,其特征在于:所述LED芯片為由
N型氮化物、發(fā)光層InGaN和P型氮化物組成的半導(dǎo)體層;所述N型氮化物半導(dǎo)體層上的電極為負(fù)極,所述P型氮化物半導(dǎo)體層上的電極為正極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的LED發(fā)光裝置,其特征在于:所述白光LED發(fā)光裝置外還封裝有透鏡。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED發(fā)光裝置,其特征在于:所述透鏡的材質(zhì)為陶瓷、樹脂或玻璃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一所述的LED發(fā)光裝置,其特征在于:所述散熱基板為LTCC低溫共燒陶瓷基板或LTCC-M低溫共燒陶瓷-金屬復(fù)合基板。
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