[發明專利]發光裝置以及發光裝置的制造方法有效
| 申請號: | 201210055721.3 | 申請日: | 2012-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN102683611A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發明(設計)人: | 白鳥幸也 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王軼;李偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 以及 制造 方法 | ||
1.一種發光裝置,其特征在于,具備:
基板;
形成于上述基板上的光反射層;
形成于上述光反射層上的透過膜;
形成于上述透過膜上的發光層;以及
形成于上述發光層上的電極,
該發光裝置具有通過上述透過膜調整了上述光反射層與電極之間的光路長度的諧振構造,并且形成有矩形的開口區域,
上述透過膜在上述矩形的開口區域的至少一邊,以階梯狀地錯開位置的方式進行圖案成形,在其他邊,以端面一致的方式進行圖案成形。
2.根據權利要求1所述的發光裝置,其特征在于,
按每個發光元件具備上述光反射層以及透過膜,上述透過膜以階梯狀地錯開位置的方式進行了圖案成形的上述矩形的開口區域的至少一邊是在發光元件中相同側的一邊。
3.根據權利要求1或2所述的發光裝置,其特征在于,
上述透過膜的端部被絕緣層覆蓋。
4.根據權利要求3所述的發光裝置,其特征在于,
上述透過膜在圖案端的內側具有被絕緣層覆蓋的區域。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的發光裝置,其特征在于,在上述透過膜以階梯狀地錯開位置的方式進行了圖案成形的上述一邊側,設置于上述基板側的驅動元件與上述電極電導通。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的發光裝置,其特征在于,
在以上述透過膜的端面一致的方式進行了圖案成形的上述其他邊側,設置于上述基板側的驅動元件與電極沒有電導通。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的發光裝置,其特征在于,
上述透過膜以階梯狀地錯開位置的方式進行了圖案成形的上述一邊比以上述透過膜的端面一致的方式進行了圖案成形的其他邊的長度短。
8.根據權利要求7所述的發光裝置,其特征在于,
在比上述其他邊的長度短的對置的兩邊,上述透過膜以階梯狀地錯開位置方式進行圖案成形。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的發光裝置,其特征在于,
上述透過膜是透明導電膜。
10.根據權利要求1至8中任一項所述的發光裝置,其特征在于,
上述透過膜是絕緣體。
11.根據權利要求1至10中任一項所述的發光裝置,其特征在于,
在上述透過膜以階梯狀地錯開位置的方式進行了圖案成形的上述一邊,形成有使上述透明膜與驅動元件電導通的接觸孔。
12.一種發光裝置的制造方法,其特征在于,具備:
在基板上形成光反射層的工序;
在上述光反射層上形成透過膜的工序;
在上述透過膜上形成發光層的工序;以及
在上述發光層上形成電極的工序,
上述發光裝置具有通過上述透過膜調整了上述光反射層與電極之間的光路長度的諧振構造,形成有矩形的開口區域,
并且上述發光裝置的制造方法具備:
在上述矩形的開口區域的至少一邊,將上述透過膜以階梯狀地錯開位置的方式進行圖案成形的工序;
在上述矩形的其他邊,將上述透過膜以端面一致的方式進行圖案成形的工序。
13.根據權利要求12所述的發光裝置的制造方法,其特征在于,
還具備按每個發光元件形成上述光反射層以及透過膜的工序,
在上述矩形的開口區域的至少一邊,將上述透過膜以階梯狀地錯開位置的方式進行圖案成形的工序,是在發光元件中相同側的一邊將上述透過膜以階梯狀地錯開位置的方式進行圖案成形的工序。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





