[發明專利]深溝渠元件的制作方法

無效

• 申請號: 201210055676.1
• 申請日: 2012-03-05
• 公開（公告）號: CN102810460A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 李秀春;陳逸男;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種深溝渠元件的制作方法，其特征在于，包含：

提供一基底，其包含一溝渠；

形成一第一材料層填入所述溝渠；

形成一第二材料層覆蓋所述基底和所述第一材料層；

形成一孔洞于所述第二材料層中，所述孔洞正對所述溝渠；以及

形成一第三材料層填入所述孔洞。

2.根據權利要求1所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于所述第二材料層包含外延硅。

3.根據權利要求2所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于，在形成所述第二材料層后，形成一氧化硅層和一氮化硅層于所述第二材料層上。

4.根據權利要求3所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于所述孔洞延伸至所述氧化硅層和所述氮化硅層中。

5.根據權利要求4所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于所述第三材料層填入位在所述氧化硅層和所述氮化硅層中的所述孔洞中。

6.根據權利要求1所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于，在形成所述第三材料層前，形成一頸氧化層圍繞位在所述第二材料層中的所述孔洞的一側壁。

7.根據權利要求1所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于所述第一材料層包含多晶硅并且所述第三材料層包含多晶硅。

8.根據權利要求1所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于所述基底包含一半導體基底。

9.一種深溝渠電容的制作方法，其特征在于，包含：

提供一基底，其包含一溝渠；

形成一下電極于所述基底中并且所述下電極圍繞所述溝渠的底部；

形成一電容介電層環繞所述溝渠的一內側側壁；

形成一第一導電層填入所述溝渠；

形成一材料層于所述基底上；

形成一孔洞于所述材料層中，所述孔洞位在所述溝渠的正上方；以及

形成一第二導電層填入所述孔洞。

10.根據權利要求9所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于所述材料層包含外延硅。

11.根據權利要求9所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于，在形成所述第二導電層于所述孔洞前，形成一頸氧化層圍繞所述孔洞的一側壁。

12.根據權利要求9所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于，在形成所述材料層后，形成一氧化硅層和一氮化硅層于材料層上。

13.根據權利要求12所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于所述孔洞延伸至所述氧化硅層和所述氮化硅層中。

14.根據權利要求13所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于，在形成所述第二導電層后，形成一第三導電層填入位于所述氧化硅層和所述氮化硅層中的所述孔洞。

15.根據權利要求14所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于所述第一導電層作為一上電極。

16.根據權利要求9所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于所述下電極的形成方式包含氣體擴散工藝。

17.根據權利要求9所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于所述第一導電層包含多晶硅并且所述第二導電層包含多晶硅。

18.根據權利要求9所述的深溝渠元件的制作方法，其特征在于所述基底包含一半導體基底。