[發(fā)明專利]一種基于核/殼結(jié)構(gòu)硅納米線組的肖特基二極管的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210054702.9
• 申請日: 2012-03-05
• 公開（公告）號: CN102592996A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王志亮;陳雪皎;朱美光;陳云;嚴強;張健
• 申請（專利權(quán)）人: 華東師范大學
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 上海藍迪專利事務(wù)所 31215
• 代理人: 徐筱梅;張翔

1.一種基于核/殼結(jié)構(gòu)硅納米線組的肖特基二極管制備方法，其特征在于該方法包括以下具體步驟：

(1)標準RCA清洗步驟清洗硅片，氮氣吹干備用；

(2)通過真空蒸鍍儀在硅片一面蒸鍍Al，在氮氣氛圍450℃下熱退火5?min，形成良好的歐姆接觸Al背電極；

(3)用光刻膠旋涂Al背電極面，烘干；

(4)?25?mmol?L^-1AgNO₃與濃度為40%的氫氟酸混合，形成混合溶液，其25?mmol?L^-1AgNO₃和濃度為40%?氫氟酸的體積比為1:1，超聲使混合溶液均勻分布；將經(jīng)清洗的硅片放入混合溶液中，保證光刻膠保護硅面朝下并與混合溶液充分接觸，反應(yīng)10～12分鐘，在無光刻膠保護硅面上生長有硅納米線，其長度?6～8?μm，然后，用大量去離子水沖洗，去除化學試劑殘留；用硝酸去除沉積銀；大量去離子水沖洗，去除化學試劑殘留，鼓風干燥箱烘干；所生長的硅納米線其硅為核、表面自然氧化層為殼，構(gòu)成硅納米線核/殼結(jié)構(gòu)；

(5)?將生長有硅納米線的硅片置于勻膠臺旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為3500?rpm，時長為20?s，保證光刻膠充分填充硅納米線間隙，且硅納米線尖端能暴露，烘干光刻膠；

(6)?采用濺射法在硅納米線尖端沉積Pt薄膜；將沉積好Pt薄膜的樣品置于丙酮溶液中，去除硅納米線間隙中的光刻膠和背電極保護光刻膠，用去離子水沖洗，去除殘留的化學試劑和有機物，鼓風干燥箱烘干，得到基于核/殼結(jié)構(gòu)硅納米線組的肖特基二極管；其中：

所述硅片為p-Si，雙面拋光，<100>?晶向，電阻率為?0.1-10Ω·cm。