[發(fā)明專利]真空處理裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210054587.5 | 申請日: | 2012-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN103208441A | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 磯村僚一;田內(nèi)勤;近藤英明;小林滿知明 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立高新技術 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 史雁鳴 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 處理 裝置 | ||
1.一種真空處理裝置,包括:多個真空輸送室,所述多個真空輸送室配置在大氣輸送室的背面?zhèn)龋嗷ミB接,在被減壓的內(nèi)部配置有輸送晶片的真空輸送機器人;多個真空處理室,在所述真空輸送室的每一個上至少各連接一個所述真空處理室,在利用所述真空輸送機器人將配置在前述大氣輸送室的前面?zhèn)鹊暮袃?nèi)的多個晶片從該盒中取出,依次向前述多個真空處理室輸送,并進行處理,之后,使所述晶片返回到前述盒內(nèi),其中,
所述真空處理裝置具有設定前述多個晶片的輸送的動作并調(diào)節(jié)該動作的控制部,該控制部進行調(diào)節(jié),使得任意的前述晶片被輸送到連接在前述多個真空輸送室之中配置在最里側的真空輸送室上的全部前述真空處理室中,在這樣調(diào)節(jié)之后,對下一個晶片的輸送進行調(diào)節(jié),使得在前述任意的晶片變得能夠從連接到所述最里側的真空輸送室上的前述真空處理室運出之前,將該下一個晶片輸送到作為能夠運入的前述真空處理室的配置在最后方的真空處理室中。
2.如權利要求1所述的真空處理裝置,其特征在于,
前述控制部調(diào)節(jié)前述下一個晶片的輸送,使得將前述下一個晶片輸送到如下的真空處理室中,即,該真空處理室是在連接到配置得比前述最里側的前述真空輸送室靠前方的前述真空輸送室上的前述多個真空處理室之中、連接到前述最后方的真空輸送室上的真空處理室。
3.如權利要求1所述的真空處理裝置,其特征在于,
包括:中間室,所述中間室在相鄰的前述多個真空輸送室相互之間將這些真空輸送室連接起來地配置,在與前述真空輸送室連通的內(nèi)部,能夠容納多個前述晶片;至少一個鎖定室,所述鎖定室在前述多個真空輸送室之中配置在最前方的真空輸送室與前述大氣輸送室之間,將前述配置在最前方的真空輸送室與前述大氣輸送室連接起來地配置,
利用前述真空輸送機器人進行的前述晶片的輸送,在前述真空處理室與前述中間室或者前述鎖定室之間的輸送所需要的時間,比在前述中間室或前述鎖定室之間的輸送所需要的時間長。
4.如權利要求2所述的真空處理裝置,其特征在于,
包括:中間室,所述中間室在相鄰的前述多個真空輸送室相互之間將這些真空輸送室連接起來地配置,在與前述真空輸送室連通的內(nèi)部,能夠容納多個前述晶片;至少一個鎖定室,所述鎖定室在前述多個真空輸送室之中配置在最前方的真空輸送室與前述大氣輸送室之間,將前述配置在最前方的真空輸送室與前述大氣輸送室連接起來地配置,
利用前述真空輸送機器人進行的前述晶片的輸送,在前述真空處理室與前述中間室或者前述鎖定室之間的輸送所需要的時間,比在前述中間室或前述鎖定室之間的輸送所需要的時間長。
5.如權利要求1所述的真空處理裝置,其特征在于,
包括:中間室,所述中間室在相鄰的前述多個真空輸送室相互之間,將這些真空輸送室連接起來地配置,在與前述真空輸送室連通的內(nèi)部,能夠容納多個前述晶片;至少一個鎖定室,所述鎖定室在前述多個真空輸送室之中配置在最前方的真空輸送室與前述大氣輸送室之間,將前述配置在最前方的真空輸送室與前述大氣輸送室連接起來地配置,在內(nèi)部能夠容納前述晶片,
前述多個真空處理室各自在內(nèi)部配備有試樣臺,前述晶片被載置并保持在該試樣臺的上表面,所述試樣臺包括:多個銷,所述多個銷配置在該試樣臺的內(nèi)部、上下移動,在使前端從前述上表面向上方移動的狀態(tài)下,將前述晶片載置并保持在該前端;電介質(zhì)制的膜,所述膜構成前述上表面,借助將晶片載置在該膜上的狀態(tài)下形成的靜電力,吸附并保持前述晶片,
所述真空處理裝置配備有在前述中間室及前述鎖定室內(nèi)載置并保持前述晶片的固定的保持部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





