[發(fā)明專利]間接變換型圖像檢測器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210054391.6
• 申請日: 2007-12-20
• 公開（公告）號: CN102593140A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岡田美廣;吉見琢也
• 申請（專利權(quán)）人: 富士膠片株式會(huì)社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 雒運(yùn)樸

1.一種間接變換型圖像檢測器，具備：

將照射的放射線變換為光的熒光體；

接受所述光而產(chǎn)生電荷的半導(dǎo)體層；

相互并列配置的多個(gè)掃描布線；

與上述多個(gè)掃描布線交叉設(shè)置，并且與形成有上述掃描布線的金屬層隔著絕緣層，由不同的金屬層所形成的多個(gè)數(shù)據(jù)布線；

以矩陣狀設(shè)置的薄膜晶體管，其與上述掃描布線和上述數(shù)據(jù)布線連接；

以矩陣狀設(shè)置的傳感部，其與上述薄膜晶體管連接；

多個(gè)公共布線，其為了向上述半導(dǎo)體層施加偏壓電壓而設(shè)置，與形成有上述掃描布線的金屬層和形成有上述數(shù)據(jù)布線的金屬層隔著絕緣層，由不同的金屬層所形成；

第一絕緣層，其設(shè)置在上述薄膜晶體管的源電極以及漏電極與柵電極之間；和

第二絕緣層，其設(shè)置在上述數(shù)據(jù)布線與上述掃描布線之間，并且比上述第一絕緣層厚。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的間接變換型圖像檢測器，其特征在于，

還具備：第三絕緣層，其設(shè)置在上述源電極以及上述漏電極與上述數(shù)據(jù)布線之間，并且比上述第一絕緣層厚。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的間接變換型圖像檢測器，其特征在于，

上述第三絕緣層的厚度，比上述第一絕緣層厚并且比上述第一絕緣層的兩倍厚度薄。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的間接變換型圖像檢測器，其特征在于，

上述第三絕緣層的介電常數(shù)比上述第一絕緣層的介電常數(shù)低。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的間接變換型圖像檢測器，其特征在于，

形成有上述數(shù)據(jù)布線的上述金屬層，比形成有上述源電極以及上述漏電極的金屬層厚。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的間接變換型圖像檢測器，其特征在于，

形成有上述薄膜晶體管的上述源電極以及上述漏電極的金屬層，是單層的金屬膜，

形成有上述數(shù)據(jù)布線的金屬層，是多層的金屬膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的間接變換型圖像檢測器，其特征在于，

還具備：矩陣狀地設(shè)置的電荷收集電極，其收集在上述半導(dǎo)體層產(chǎn)生的上述電荷，

上述電荷收集電極與上述數(shù)據(jù)布線在層疊方向上不重疊。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的間接變換型圖像檢測器，其特征在于，

上述電荷收集電極隔著上述第三絕緣層覆蓋上述薄膜晶體管。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任意一項(xiàng)所述的間接變換型圖像檢測器，其特征在于，

上述數(shù)據(jù)布線、上述掃描布線和上述公共布線，在層疊方向上形成在上述半導(dǎo)體層的下方。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的間接變換型圖像檢測器，其特征在于，

依次層疊了：

基板；

第一金屬層，其形成上述掃描布線以及上述薄膜晶體管的上述柵電極；

單層或多層的上述第一絕緣層；

第二金屬層，其形成上述薄膜晶體管的上述源電極以及上述漏電極；

單層或多層的上述第三絕緣層；

第三金屬層，其形成上述數(shù)據(jù)布線；

單層或多層的絕緣膜；

第四金屬層，其形成收集在上述半導(dǎo)體層產(chǎn)生的上述電荷的電荷收集電極；

上述半導(dǎo)體層；

上述公共電極，其向上述半導(dǎo)體層施加偏壓電壓；和

上述熒光體。