[發明專利]一種新的Cu(InGa)Se2薄膜太陽電池緩沖層制備方法無效
| 申請號： | 201210054340.3 | 申請日： | 2012-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN103296131A | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發明（設計）人： | 馬格林;張建柱;孫玉娣;彭博 | 申請（專利權）人： | 任丘市永基光電太陽能有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 062550 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cu inga se sub 薄膜 太陽電池 緩沖 制備 方法 | ||
1.一種新的CIGS薄膜太陽電池緩沖層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：首先采用Br2-CH3OH溶液對涂覆鉬的鈉鈣玻璃襯底上沉積的CIGS吸收層表面進行刻蝕處理，以除去二次相Cu2Se，并使CIGS吸收層表面成鏡面狀；接著用熱氨水對CIGS吸收層表面進行刻蝕處理，以除去其表面的Na和O的化合物；隨后通過CSP法在CIGS吸收層表面形成In2S3膜層；最后用加有陽離子表面消泡劑的CBD工藝在In2S3表面沉積CdS薄膜。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太陽電池緩沖層的制備方法，其選用的Br2-CH3OH溶液濃度為0.23mol/L，其中加有濃度為0.12mol/L的KBr溶液。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太陽電池緩沖層的制備方法，其選用的Br2-CH3OH溶液的刻蝕溫度為室溫，時間10min。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太陽電池緩沖層的制備方法中，其選用的氨水的濃度為1.8M，氨水的處理溫度為65℃，處理時間為15min。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太陽電池緩沖層的制備方法中，CSP法制備In2S3時選用源材料分別為InCl3和硫脲CS(NH2)2，源材料混合溶液中的In/S＝1.2/8。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太陽電池緩沖層的制備方法中，CSP法沉積In2S3時，CIGS吸收層表面溫度為400℃，In2S3膜的濺射沉積速率為5ml/min，濺射時間為25min，濺射沉積的In2S3膜厚為20nm。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太陽電池緩沖層的制備方法中，CBD法制備CdS膜時，選用的源材料分別為Cd(CH3COO)2(0.0025M)，硫脲CS(NH2)2(0.002M)，CH3COONH4(0.025M)，NH4OH(2.25M)和陽離子體系消泡劑。
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太陽電池緩沖層的制備方法中，化學水浴沉積法制備CdS膜時，溶液溫度為70℃，硫脲加入Cd(CH3COO)2，CH3COONH4，NH4OH和陽離子體系消泡劑體系中的速度為18滴/min。
9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太陽電池緩沖層的制備方法中，化學水浴沉積法制備CdS膜的沉積時間為25min，厚度為60nm。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
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