[發明專利]對柔性襯底的擴散阻擋層修飾

無效

• 申請號: 201210054338.6
• 申請日: 2012-03-05
• 公開（公告）號: CN103290376A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 孫玉娣;張建柱;彭博;馬格林
• 申請（專利權）人: 任丘市永基光電太陽能有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種柔性CIGS薄膜太陽電池中，對柔性襯底添加鉻阻擋層的修飾方法，是在柔性襯底上采用直流磁控濺射工藝沉積一層擴散阻擋層，其特征在于：

所述柔性襯底為不銹鋼襯底；

所述阻擋層為鉻層。

2.根據權利要求書1所述的對柔性襯底的擴散阻擋層修飾方法，其特征在于，不銹鋼襯底的厚度為25μm。

3.根據權利要求書1所述的對柔性襯底的擴散阻擋層修飾方法，其特征在于，不銹鋼襯底需經過超聲清洗，高純氮氣吹干。

4.根據權利要求書1所述的對柔性襯底的擴散阻擋層修飾方法，其特征在于，所述方法采用的設備是臥式對向磁控濺射靶設備。

5.根據權利要求書1所述的對柔性襯底的擴散阻擋層修飾方法，其特征在于，所述直流磁控濺射法選用的鉻靶材純度為99.5％以上，靶材尺寸為。

6.根據權利要求書1所述的對柔性襯底的擴散阻擋層修飾方法，其特征在于，所述直流磁控濺射法中的工作氣體為純氬氣，氣體流量為30ml/min，工作氣壓為2.0Pa，本底真空為3.0×10^-3Pa。

7.根據權利要求書1所述的對柔性襯底的擴散阻擋層修飾方法，其特征在于，所述直流磁控濺射法中基片與靶材的距離為100mm。

8.根據權利要求書1所述的對柔性襯底的擴散阻擋層修飾方法，其特征在于，所述直流磁控濺射法中基底溫度為200℃，濺射時間為5-20min。

9.根據權利要求書1所述的對柔性襯底的擴散阻擋層修飾方法，其特征在于，所述直流磁控濺射法中濺射電流為0.10A，0.25A，0.40A，濺射電壓為0.26kV，0.52kV。

10.根據權利要求書1所述的對柔性襯底的擴散阻擋層修飾方法，其特征在于，所述擴散阻擋層厚度為1-2μm。