[發明專利]柔性CIGS太陽電池背電極層的制備工藝無效
| 申請號: | 201210054330.X | 申請日: | 2012-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN103296129A | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發明(設計)人: | 張建柱;孫玉娣;馬格林;彭博 | 申請(專利權)人: | 任丘市永基光電太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 062550 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 cigs 太陽電池 電極 制備 工藝 | ||
1.一種柔性銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽電池背電極層的制備工藝,其特征在于:利用卷對卷(ROLL-TO-ROLL)的生產工藝,在柔性不銹鋼襯底上依次沉積鉻隔離層、鉬層,做為CIGS吸收層的預制層及電池的背電極層。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池的襯底為25~100μm厚的不銹鋼帶。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:鉻隔離層與鉬層的制備均采用卷對卷(Roll-To-Roll)的鍍膜方式,并且都利用直流磁控濺射的方法制備。
4.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于:首先利用直流磁控濺射的方法在襯底上鍍一層鉻,厚度為1~2μm。鍍金屬鉻的目的是阻止不銹鋼襯底中得Fe元素向吸收層的擴散。
5.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于:利用直流磁控濺射的方法在鉻層上濺射Mo層,鉬層的厚度為1~1.5μm。
6.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于:Mo層的制備分兩步完成,具體包括以下工藝步驟:
(1)在1~1.5Pa的氬氣壓下沉積一層0.1~0.2μm厚的Mo層。
(2)在0.1~0.2Pa的氬氣壓下沉積一層0.9~1.2μm厚的Mo層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





