[發明專利]一種TFT-LCD陣列基板及顯示裝置

無效

• 申請號: 201210054315.5
• 申請日: 2012-03-02
• 公開（公告）號: CN102629042A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 李成;董學;陳東;郭仁偉;木素真
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1368;H01L27/02
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及薄膜晶體管液晶顯示技術，特別是涉及一種TFT-LCD陣列基板及顯示裝置。

背景技術

目前，TFT-LCD(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，薄膜晶體管液晶顯示器)的顯示模式主要有TN(Twisted?Nematic，扭曲向列)模式、VA(Vertical?Alignment，垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching，平面方向轉換)模式和ADS模式等。

ADS模式是平面電場寬視角核心技術-高級超維場轉換技術(ADvanced?Super?Dimension?Switch)，其核心技術特性描述為：通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push?Mura)等優點。針對不同應用，ADS技術的改進技術有高透過率I-ADS技術、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術等。

如圖1所示，現有ADS模式的TFT-LCD陣列基板上形成有柵線22和數據線21，相鄰的柵線22和數據線21限定了亞像素區(即R亞像素區、G亞像素區或B亞像素區)，每一個亞像素區內形成有一個薄膜晶體管(TFT)、條形公共電極24和像素電極25，公共電極24與像素電極25之間為絕緣層(俯視圖未示出)。在無電壓時，公共電極24和像素電極25之間無電場，位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶分子26不發生偏轉；當施加電壓時，公共電極24和像素電極25之間形成水平電場，液晶分子26沿著電場的方向發生偏轉，在寬視角的前提下，實現了較高的透光效率。

如圖2所示，現有ADS模式的TFT-LCD陣列基板通常采用“//”狀的雙疇像素結構，即公共電極34為“//”狀。在施加電壓時，液晶分子具有對稱取向，顯示視角可以在特定角度上呈現一致的對稱性。然而，當旋轉屏幕或從不同角度觀察屏幕時，由于液晶分子表觀長度不同，顯示視角并不是一致對稱(例如，在0°、90°、180°和270°方向上的視角與45°、135°、225°和315°上的視角就有較大差異)，顯示效果較差。

發明內容

本發明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及顯示裝置，用以解決現有ADS模式的顯示面板視角在不同方向上的對稱性不一致，顯示效果較差的技術問題。

本發明的TFT-LCD陣列基板，包括像素區，所述像素區包括多個呈陣列排布的像素單元，每個所述像素單元包括第一電極和可與第一電極之間形成水平電場的第二電極，其中，

所述第二電極包括條形電極，所述條形電極在像素區內組成正三角形、正多邊形或圓形的輻射狀圖案。

其中，所述輻射狀圖案的輻射中心為相應的像素單元的中心。進一步地，所述像素單元為一個像素或一個亞像素。

優選的，所述正多邊形的邊數為奇數。

較佳的，任兩個條形電極的寬度相同。

較佳的，所述第一電極為面狀電極。

可選的，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。

或者，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極。

本發明顯示裝置，包括前述任一項技術方案中所述的TFT-LCD陣列基板。

在本發明方案中，由于第二電極包括條形電極，所述條形電極在像素區內組成正三角形、正多邊形或圓形的輻射狀圖案，在對電極施加電壓時，多疇像素結構使得液晶分子在各個方向上具有較為一致的對稱取向，因此，顯示視角在不同方向上具有較為一致的對稱性，顯示效果大大提升。

附圖說明

圖1為現有ADS模式的TFT-LCD陣列基板單疇像素結構俯視圖；

圖2為現有ADS模式的TFT-LCD陣列基板雙疇像素結構的電極俯視圖；

圖3為本發明TFT-LCD陣列基板第一實施例像素結構俯視圖；

圖4為本發明TFT-LCD陣列基板第二實施例像素結構俯視圖；

圖5為本發明TFT-LCD陣列基板第三實施例像素結構俯視圖；

圖6為本發明TFT-LCD陣列基板第四實施例像素結構俯視圖；

圖7為本發明TFT-LCD陣列基板第五實施例像素結構俯視圖；

圖8為本發明TFT-LCD陣列基板第六實施例像素結構俯視圖。