[發明專利]薄膜基板的制造方法無效
| 申請號: | 201210054263.1 | 申請日: | 2012-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN102655119A | 公開(公告)日: | 2012-09-05 |
| 發明(設計)人: | 新谷壽朗;有滿幸生 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;C09J7/02;C09J133/14;C09J133/08 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 制造 方法 | ||
1.一種薄膜基板的制造方法,其特征在于,其是形成有圖案的薄膜基板的制造方法,在設置于硬質基板表面的粘合粘接劑層上固定薄膜基板之后,在該薄膜基板上形成圖案,接著,將薄膜基板在其與粘合粘接劑的界面處剝離。
2.根據權利要求1所述的薄膜基板的制造方法,其中,該薄膜基板由至少1層以上構成,其厚度為2mm以下,具有玻璃化轉變溫度(Tg)為23℃以上且拉伸彈性模量為300MPa以上的層。
3.根據權利要求1或2所述的薄膜基板的制造方法,其中,該薄膜基板在150℃下的CTE為300ppm以下。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的薄膜基板的制造方法,其中,該粘合粘接劑層由至少1層以上的層構成,總厚度為1~1mm,23℃~150℃的儲能模量為1×104~1×107。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的薄膜基板的制造方法,其中,該粘合粘接劑層的150℃×1hr加熱后的粘合力的值在加熱前測定值的3倍以內,且將薄膜基板剝離時的在剝離速度300mm/分鐘下的180度剝離粘合力為1.5N/10mm以下。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的薄膜基板的制造方法,其中,形成圖案的工序包括1次以上的加熱至80℃~270℃的工序。
7.一種粘合粘接劑,其用于權利要求1~6中任一項所述的薄膜基板的制造方法中的粘合粘接劑層。
8.一種由硬質基板和設置在硬質基板表面的粘合粘接劑層構成的層疊體,其被用于權利要求1~6中任一項所述的薄膜基板的制造方法中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





