[發(fā)明專利]相變存儲器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210053872.5
• 申請日: 2012-03-02
• 公開（公告）號: CN103296049A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李瑩;吳關(guān)平;王蕾
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種相變存儲器，包括：襯底，位于襯底上的存儲單元陣列和電路單元，所述電路單元位于所述存儲單元陣列周圍，其特征在于，所述相變存儲器還包括位于所述存儲單元陣列和所述電路單元之間的、圍繞所述存儲單元陣列的溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，所述存儲單元陣列包括多個平行的淺溝槽隔離區(qū)域、多個與所述淺溝槽隔離區(qū)域垂直的深溝槽隔離區(qū)域，所述深溝槽隔離區(qū)域包括：

形成于襯底中的溝槽；

覆蓋于所述溝槽底部表面和側(cè)壁表面上的襯墊層；

填充于所述溝槽中的第一填充層；

覆蓋于所述第一填充層上的阻擋層；

填充于所述溝槽中的、位于所述阻擋層上的第二填充層。

3.如權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)為圍繞所述存儲單元陣列的封閉式結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)為圍繞所述存儲單元陣列的分段式結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求2所述的相變存儲器，其特征在于，所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)與所述深溝槽隔離區(qū)域相同。

6.如權(quán)利要求5所述的相變存儲器，其特征在于，所述襯墊層的材料為氧化硅，所述第一填充層為多晶硅，所述阻擋層為氧化硅，所述第二填充層為氧化硅。

7.一種相變存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在襯底上的存儲單元區(qū)域形成存儲單元陣列；

在襯底上形成圍繞所述存儲單元陣列的溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

在襯底上溝槽隔離結(jié)構(gòu)的周圍區(qū)域形成電路單元。

8.如權(quán)利要求7所述相變存儲器的制造方法，其特征在于，

在襯底上形成存儲單元陣列的步驟包括：形成多個平行的深溝槽隔離區(qū)域、形成多個與所述深溝槽隔離區(qū)域垂直的淺溝槽隔離區(qū)域；

形成溝槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：在存儲單元區(qū)域形成深溝槽隔離區(qū)域的過程中，形成與所述深溝槽隔離區(qū)域相同的溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求8所述相變存儲器的制造方法，其特征在于，

在存儲單元區(qū)域形成深溝槽隔離區(qū)域的過程中，形成與所述深溝槽隔離區(qū)域相同的溝槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在襯底上依次形成阱區(qū)、外延層；

圖案化所述阱區(qū)、外延層，在存儲單元區(qū)域形成多個平行排列的第一深溝槽以及圍繞所述存儲單元區(qū)域的第二深溝槽；

在所述第一深溝槽和第二深溝槽的底部表面和側(cè)壁表面均覆蓋襯墊層；

在所述第一深溝槽和第二深溝槽中填充第一材料，形成第一填充層；

在所述第一填充層上形成阻擋層；

在所述第一深溝槽和第二深溝槽中的阻擋層上繼續(xù)填充第二材料，形成第二填充層。

10.如權(quán)利要求9所述相變存儲器的制造方法，其特征在于，所述襯墊層的材料為氧化硅，所述第一材料為多晶硅，所述阻擋層的材料為氧化硅，所述第二材料為氧化硅。