[發明專利]一種煅燒礦石的回轉窯無效
| 申請號: | 201210053854.7 | 申請日: | 2012-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN102589280A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 唐鐵石 | 申請(專利權)人: | 唐鐵石 |
| 主分類號: | F27B7/28 | 分類號: | F27B7/28;F27B7/20 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 437600 湖北省通山*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 煅燒 礦石 回轉 | ||
技術領域
本發明涉及一種煅燒礦石的回轉窯,特別是涉及到生產活性石灰的回轉窯。?
背景技術
用回轉窯煅燒礦石(例如石灰石)時,礦石從窯的一端(窯尾)進入窯內,隨著窯的轉動,礦石不斷翻滾前移,從預熱區到高溫區再到冷卻區,礦石受熱并發生化學反應,成品從窯的另一端(窯頭)排出。?
礦石的粒度是產品產量和質量的決定性因素之一。粒度過大不易燒透,礦石不易完全分解,往往會產生“生芯”,且產量低,能耗高;粒度過小,礦石與礦石之間距離小,熱能難以滲透,外層礦石燒熟了,內層礦石還未分解或未完全分解;而窯內壁都是設計成光滑的弧面,這樣小粒度礦石不能翻到上層,內層礦石不能翻到外層;外層礦石形成“棉被效應”,中間礦石難以受熱。因此回轉窯通常采用的礦石粒度在10-40mm之間,小于10mm的礦石棄之不用,造成資源浪費和企業成本增加。煅燒小粒度礦石,如果解決了翻動問題,還能縮短礦石受熱時間,增加產量,降低能耗,是目前期待解決的問題。?
中國專利CN201081536公開了石灰窯窯尾的揚料板裝置,其特征在于該揚料板斷面為直角“拐”型的立式角板,在揚料板的“拐”把端平板上開有固定通孔。該發明的揚料板要求抗沖擊力大,在高溫1200℃溫度中,耐熱材料要求耐磨損,不易變形,這就要求揚料板的性能高,增加了回轉窯的成本,且揚料板直接固定在筒體上,熱能直接通過揚料板到筒體,也增加了能量的流失。?
發明內容
本發明的目的是提供一種能夠煅燒小粒度(通常為0.5~8mm)礦石、成本低、能耗少的回轉窯。?
本發明的技術方案為:一種煅燒石灰的回轉窯,包括窯筒,其特征在于:窯內壁由耐火材料構成的凸起區和凹陷區組成。?
凸起區的內襯耐火磚高度高于凹陷區的內襯耐火磚。?
凸起區和凹陷區呈品字形排列。?
內襯耐火磚為高鋁質耐火磚,凹陷區的內襯耐火磚的規格為60mm×90mm×150mm,凸起區的內襯耐火磚規格為60mm×90mm×220mm。?
作為一種變化,當然可以僅在回轉窯的高溫區設有凸起區和凹陷區。?
回轉窯中在窯筒和內襯耐火磚之間還包括隔熱層。?
本發明的有益效果為:1.當礦石處于窯的底部時,礦石塞滿了凹陷坑,當窯轉動,凹陷坑內的礦石隨窯的轉動從礦石層底部被帶到了上部,在上到一定角度時,礦石從坑內滑出,落到礦石層上面,下層礦石不斷被帶到上面,內層礦石也會翻到表層;礦石能均勻向前移動,均勻翻動,從而礦石能均勻受熱。?
2.本回轉窯煅燒的礦石粒度小,不會對高溫狀態的耐火磚形成大的沖擊力,從而破壞性小,耐火磚使用期長。?
3.礦石粒度小,均勻受熱,加快了分解速度,煅燒時間短,提高了煅燒速度,增加了產量,降低了能耗。?
附圖說明
圖1為窯體?
圖2為回轉窯的窯內壁展開圖。?
圖3為回轉窯的剖視圖。?
1預熱區????2高溫層????3冷卻區?
4凸起區????5凹陷區????6筒體?
下面結合附圖作具體說明:?
在窯內砌磚時,就同一圈來說,采用一組磚高、相鄰一組低的排列,即同一圈先安裝凸起區后,相鄰安裝凹陷區,再安裝凸起區,再次相鄰安裝凹陷區,同一圈凸起區和凹陷區始終相鄰;在安裝好第一圈后,第二圈剛好和第一圈相反,即第一圈凸起區相鄰安裝第二圈凹陷區,第一圈凹陷區相鄰安裝第二圈凸起區,如此循環;第三圈和第一圈凸起區和凹陷區相同,第四圈和第二圈凸起區和凹陷區相同;如此循環安裝滿筒體。?
凸起區和凹陷區一組磚可以是一塊磚或幾塊磚組成。安裝完的內壁呈現一個個方形或長方形的“坑”.?
窯內砌磚可以是高鋁質、粘土質、碳化硅、鎂質、尖晶石、復合材料耐火磚或其他耐火材料。?
具體實施方式
訂做用于直徑1.8米×38米長的回轉窯內襯的高鋁質耐火磚,一種規格為60mm(長)×90mm(寬)×150mm(高)一種規格為60mm(長)×90mm(寬)×220mm(高),各一半。窯內砌磚時,在每一圈中,按照3塊磚為一組,砌完高的一組再砌低的一組,每圈大約為18組。?
砌完一圈再砌第二圈時,仍然是3塊磚一組,不同的是緊挨第一圈高磚的是第二圈的低磚,第二圈高組磚正好擋往第一圈低組磚的豁口,第三圈按照第一圈順序砌筑。?
本發明不僅僅局限于以上實施例,任何人在本發明的啟示下都可以得到其類似的產品,在結構和形式上作任何改變,做出相同或相近的技術方案都會落入本發明的保護范圍。?
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