[發明專利]相變存儲器、其底部接觸結構及其各自制作方法有效
| 申請號： | 201210053852.8 | 申請日： | 2012-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN103296201A | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發明（設計）人： | 李瑩;吳關平 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變 存儲器 底部 接觸 結構 及其 各自 制作方法 | ||
1.一種相變存儲器底部接觸結構的制作方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底上至少形成有包埋在第一介電層中的導電插塞；
在所述導電插塞、及第一介電層上至少形成第二介電層；
利用光刻、刻蝕在所述第二介電層內形成暴露部分所述導電插塞的溝槽；
在所述第二介電層、溝槽內淀積導電層；
利用光刻工藝在所述溝槽外的導電層上定義出垂直溝槽的條狀區域，保留位于所述導電插塞、及所述條狀區域上的導電層，去除其它區域的導電層；
在所述溝槽內填充第三介電層，并CMP去除溝槽外的第三介電層及導電層。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半導體襯底上還形成有有源區，所述有源區與所述導電插塞電連接。
3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一介電層、第二介電層、第三介電層的材質相同。
4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二介電層形成前，所述導電插塞、及第一介電層上還形成有刻蝕停止層。
5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，淀積在溝槽側壁上的導電層的厚度小于10nm。
6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述淀積的導電層的材質為氮化鈦。
7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述溝槽內填充第三介電層前，還進行在所述溝槽內淀積研磨終止層的步驟。
8.一種根據上述任一權利要求所述制作方法形成的相變存儲器底部接觸結構。
9.一種相變存儲器的制作方法，其特征在于，包括：
根據權利要求1-7任意一項所述的制作方法制作底部接觸結構；
淀積相變材料層；
在所述相變材料成上形成頂部接觸結構。
10.一種根據權利要求9所述制作方法形成的相變存儲器。
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