[發明專利]基于CuS準一維納米結構的納米太陽能電池的制備方法

有效

• 申請號: 201210053645.2
• 申請日: 2012-03-02
• 公開（公告）號: CN102583223A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 吳春艷;張梓晗;呂鵬;吳義良;王文堅;于永強;王莉;羅林保;揭建勝
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;H01L31/18
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 34101
• 代理人: 何梅生

1.基于CuS準一維納米結構的納米太陽能電池的制備方法，其特征在于：將CuS準一維納米結構(3)分散在覆有絕緣層(2)的硅片(1)上，通過紫外光刻的方法在絕緣層(2)上制備一金屬薄膜電極對(4)，所述金屬薄膜電極(4)通過所述CuS準一維納米結構(3)連通并且所述金屬薄膜電極對(4)與CuS準一維納米結構(3)呈歐姆接觸；然后通過紫外光刻的方法在絕緣層(2)上制備一ITO透明薄膜電極(5)，所述ITO透明薄膜電極(5)位于所述金屬薄膜電極對(4)之間并且與所述CuS準一維納米結構(3)交叉呈肖特基接觸，得到基于CuS準一維納米結構的納米太陽能電池即CuS/ITO肖特基結準一維納米結構的納米太陽能電池；所述絕緣層(2)為SiO₂。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述CuS準一維納米結構(3)為長度不小于10μm的納米線、納米管或納米帶；所述納米管的直徑小于1μm。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述金屬薄膜電極對(4)為包括In、Ti、Au、Cu中的一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述ITO透明薄膜電極(5)采用脈沖激光沉積的方法鍍膜，鍍膜時的真空度為1-3×10^-3Pa，沉積所用激光能量為120mJ，脈沖頻率為5Hz。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述ITO透明薄膜電極(5)厚度為50-500nm，所述ITO透明薄膜電極(5)和所述CuS準一維納米結構(3)相接觸的寬度小于5μm。