[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210053150.X
• 申請日: 2012-03-02
• 公開（公告）號: CN102569417A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張錫明
• 申請（專利權(quán)）人: 福州華映視訊有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 福州元創(chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學(xué)俊

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

一基板；

一閘極，設(shè)置于該基板上；

一閘極絕緣層，設(shè)置于該閘極上；

一氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)置于該閘極絕緣層上；

一保護(hù)層，包括一第一保護(hù)層與一第二保護(hù)層依序設(shè)置于該氧化物半導(dǎo)體層上，且該保護(hù)層的側(cè)邊與該氧化物半導(dǎo)體層的側(cè)邊切齊；以及

一源極與一汲極，設(shè)置于該保護(hù)層上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：該氧化物半導(dǎo)體層的材料包括銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅或上述材料的混合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：該第一保護(hù)層具有一第一薄膜密度，該第二保護(hù)層具有一第二薄膜密度，且該第一薄膜密度大于該第二薄膜密度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：該保護(hù)層具有至少二接觸洞，且該源極與該汲極分別經(jīng)由各該接觸洞與該氧化物半導(dǎo)體層相接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：該閘極的面積大于或等于該氧化物半導(dǎo)體層的面積，以遮蔽該氧化物半導(dǎo)體層。

6.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括下列步驟：

提供一基板；

形成一閘極于該基板上；

形成一閘極絕緣層于該閘極上；

形成一氧化物半導(dǎo)體層全面性覆蓋該閘極絕緣層；

形成一保護(hù)層全面性覆蓋該氧化物半導(dǎo)體層，其中形成該保護(hù)層的步驟包括：

進(jìn)行一第一沉積制程，形成一第一保護(hù)層全面性覆蓋該氧化物半導(dǎo)體層；以及

進(jìn)行一第二沉積制程，形成一第二保護(hù)層全面性覆蓋該第一保護(hù)層；以及

圖案化該保護(hù)層以及該氧化物半導(dǎo)體層，使該保護(hù)層的側(cè)邊與該氧化物半導(dǎo)體層的側(cè)邊切齊。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：該第一沉積制程具有一第一操作功率，該第二沉積制程具有一第二操作功率，且該第一操作功率小于該第二操作功率。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：形成該氧化物半導(dǎo)體層的材料包括銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅或上述材料的混合物。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：圖案化該氧化物半導(dǎo)體層與該保護(hù)層的步驟包括：

形成一圖案化光罩層于該保護(hù)層上，且該圖案化光罩層部分重疊該保護(hù)層；

去除未被該圖案化光罩層覆蓋的該保護(hù)層以及該氧化物半導(dǎo)體層；以及

去除該圖案化光罩層。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：在圖案化該保護(hù)層與該氧化物半導(dǎo)體層的步驟后，另包括形成至少二接觸洞于該保護(hù)層中，以部分暴露該氧化物半導(dǎo)體層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：在形成該等接觸洞的步驟之后，另包括：

形成一金屬層于該保護(hù)層上；以及

圖案化該金屬層以形成一源極與一汲極，其特征在于：該源極與該汲極分別經(jīng)由各該接觸洞與該氧化物半導(dǎo)體層相接觸。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于：形成該氧化物半導(dǎo)體層的步驟與形成該保護(hù)層的步驟可在同一反應(yīng)腔室中進(jìn)行。