[發(fā)明專利]包含成核促進(jìn)顆粒的硅晶鑄錠及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210053083.1 | 申請(qǐng)日： | 2012-03-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103255475A | 公開（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 倪笙華;蕭明恭;林欽山;許松林 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B29/06 | 分類號(hào)： | C30B29/06;C30B11/00;C30B28/06 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215316 江蘇省蘇州市*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包含 成核 促進(jìn) 顆粒 鑄錠 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造硅晶鑄錠的方法，其特征在于，包含下列步驟：
鋪設(shè)多個(gè)成核促進(jìn)顆粒在一模內(nèi)的底部，所述模本身定義一垂直方向，每一個(gè)成核促進(jìn)顆粒由一主顆粒以及由接合在所述主顆粒表面上的多個(gè)次顆粒所構(gòu)成，所述多個(gè)次顆粒的平均粒徑小于所述多個(gè)主顆粒的平均粒徑；
安裝一硅原料至所述模內(nèi)，且放置在所述多個(gè)成核促進(jìn)顆粒上；
加熱所述模，直至所述硅原料全部熔化成一硅熔湯；
控制所述硅熔湯的至少一熱場(chǎng)參數(shù)，致使所述硅熔湯中多個(gè)硅晶粒在所述多個(gè)成核促進(jìn)顆粒上成核且沿所述垂直方向成長(zhǎng)；以及
繼續(xù)控制所述熱場(chǎng)參數(shù)，讓所述多個(gè)硅晶粒繼續(xù)沿所述垂直方向成長(zhǎng)，直到硅熔湯全部凝固從而獲得硅晶鑄錠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造硅晶鑄錠的方法，其特征在于，每一主顆粒的制備材料選自石墨、硅、氧化鋁、碳化硅、氮化硅或者氮化鋁中的任意一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造硅晶鑄錠的方法，其特征在于，每一次顆粒的制備材料選自石墨、硅、氧化鋁、碳化硅、氮化硅或者氮化鋁中的任意一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造硅晶鑄錠的方法，?其特征在于，所述多個(gè)主顆粒的平均粒徑大于1mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造硅晶鑄錠的方法，其特征在于，所述多個(gè)次顆粒的平均粒徑小于1μm。
6.一種硅晶鑄錠，具有一底部以及一垂直方向，其特征在于，所述硅晶鑄錠包含沿所述垂直方向成長(zhǎng)的多個(gè)硅晶粒以及一位于所述底部的多個(gè)成核促進(jìn)顆粒，其中每一成核促進(jìn)顆粒由一主顆粒以及接合在所述主顆粒表面上的多個(gè)次顆粒構(gòu)成，所述多個(gè)次顆粒的平均粒徑小于所述多個(gè)主顆粒的平均粒徑。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅晶鑄錠，其特征在于，每一主顆粒的制備材料選自石墨、硅、氧化鋁、碳化硅、氮化硅或者氮化鋁中的任意一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅晶鑄錠，其特征在于，每一次顆粒的制備材料選自石墨、硅、氧化鋁、碳化硅、氮化硅或者氮化鋁中的任意一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅晶鑄錠，其特征在于，所述多個(gè)主顆粒的平均粒徑大于1mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的硅晶鑄錠，其特征在于，所述多個(gè)次顆粒的平均粒徑小于1μm。
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