[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210052700.6
• 申請日: 2012-03-02
• 公開（公告）號: CN102931217A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 下條亮平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/36;H01L29/739
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 張麗

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

第1導(dǎo)電型的基底半導(dǎo)體層；

單元部，具有形成在上述基底半導(dǎo)體層的表面的第2導(dǎo)電型的擴(kuò)散區(qū)域；

多個第2導(dǎo)電型的保護(hù)環(huán)半導(dǎo)體層，形成在上述基底半導(dǎo)體層的表面，使得分別包圍上述單元部；

第1導(dǎo)電型的EQPR半導(dǎo)體層，形成在從上述多個保護(hù)環(huán)半導(dǎo)體層中的最外周的保護(hù)環(huán)半導(dǎo)體層向外周方向離開的上述基底半導(dǎo)體層的外周部表面，濃度比上述第1半導(dǎo)體層高、且濃度比上述保護(hù)環(huán)半導(dǎo)體層低；

第1導(dǎo)電型的多個第1降低表面電場半導(dǎo)體層，設(shè)置在上述多個保護(hù)環(huán)半導(dǎo)體層的內(nèi)側(cè)的上述基底半導(dǎo)體層的表面，濃度比上述基底半導(dǎo)體層高；以及

第1導(dǎo)電型的第2降低表面電場半導(dǎo)體層，設(shè)置在上述基底半導(dǎo)體層的表面、且上述最外周的保護(hù)環(huán)半導(dǎo)體層以及上述EQPR半導(dǎo)體層之間，雜質(zhì)濃度比上述第1降低表面電場半導(dǎo)體層高

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述單元部具備：溝道柵極，貫通上述第2導(dǎo)電型的擴(kuò)散區(qū)域并在上述基底半導(dǎo)體層內(nèi)延長形成；第1導(dǎo)電型的發(fā)射極層，形成在其兩側(cè)的上述擴(kuò)散區(qū)域的表面；第1導(dǎo)電型的緩沖半導(dǎo)體層，形成在上述基底半導(dǎo)體層的下側(cè)；以及第2導(dǎo)電型的集電極層，形成在該緩沖半導(dǎo)體層的下側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述多個第1降低表面電場半導(dǎo)體層的濃度朝向外周側(cè)變高。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第1降低表面電場半導(dǎo)體層或者上述第2降低表面電場半導(dǎo)體層具有含有導(dǎo)電型不同的上層和下層的層疊結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第1導(dǎo)電型是n型，上述第2導(dǎo)電型是p型。

6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

第1導(dǎo)電型的基底半導(dǎo)體層；

單元部，具有形成在上述基底半導(dǎo)體層的表面的第2導(dǎo)電型的擴(kuò)散區(qū)域；

多個第2導(dǎo)電型的保護(hù)環(huán)半導(dǎo)體層，形成在上述基底半導(dǎo)體層的表面，使得分別包圍上述單元部；

第1導(dǎo)電型的EQPR半導(dǎo)體層，形成在從上述多個保護(hù)環(huán)半導(dǎo)體層中的最外周的保護(hù)環(huán)半導(dǎo)體層向外周方向離開的上述基底半導(dǎo)體層的外周部表面，濃度比上述第1半導(dǎo)體層高、且濃度比上述保護(hù)環(huán)半導(dǎo)體層低；

第2導(dǎo)電型的多個第1降低表面電場半導(dǎo)體層，設(shè)置在上述多個保護(hù)環(huán)半導(dǎo)體層的內(nèi)側(cè)的上述基底半導(dǎo)體層的表面，濃度比上述基底半導(dǎo)體層高；以及

第2導(dǎo)電型的第2降低表面電場半導(dǎo)體層，設(shè)置在上述基底半導(dǎo)體層的表面、且上述最外周的保護(hù)環(huán)半導(dǎo)體層以及上述EQPR半導(dǎo)體層之間，雜質(zhì)濃度比上述第1降低表面電場半導(dǎo)體層低。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述單元部具備：溝道柵極，貫通上述第2導(dǎo)電型的擴(kuò)散區(qū)域并在上述基底半導(dǎo)體層內(nèi)延長形成；第1導(dǎo)電型的發(fā)射極層，形成在其兩側(cè)的上述擴(kuò)散區(qū)域的表面；第1導(dǎo)電型的緩沖半導(dǎo)體層，形成在上述基底半導(dǎo)體層的下側(cè)；以及第2導(dǎo)電型的集電極層，形成在該緩沖半導(dǎo)體層的下側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述多個第1降低表面電場半導(dǎo)體層的濃度朝向外周側(cè)變低。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第1降低表面電場半導(dǎo)體層或者上述第2降低表面電場半導(dǎo)體層具有含有導(dǎo)電型不同的上層和下層的層疊結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第1導(dǎo)電型是n型，上述第2導(dǎo)電型是p型。