[發(fā)明專利]一種負(fù)磁導(dǎo)率超材料

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210052606.0
• 申請(qǐng)日: 2012-03-01
• 公開（公告）號(hào): CN103296467B
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉若鵬;欒琳;郭潔;余銓強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01Q15/00
• 分類號(hào): H01Q15/00;H01P7/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所44237
• 代理人: 張全文

1.一種負(fù)磁導(dǎo)率超材料，包括至少一層具有負(fù)磁導(dǎo)率的超材料層，所述超材料層包括基板以及周期性陣列排布在基板上的多個(gè)磁性微結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述磁性微結(jié)構(gòu)包括第一磁性微結(jié)構(gòu)和第二磁性微結(jié)構(gòu)，所述基板包括第一基板和第二基板，所述第一基板兩側(cè)分別設(shè)置有由多個(gè)第一磁性微結(jié)構(gòu)構(gòu)成的第一磁性微結(jié)構(gòu)層和由多個(gè)第二磁性微結(jié)構(gòu)構(gòu)成的第二磁性微結(jié)構(gòu)層，所述第一磁性微結(jié)構(gòu)層和第二磁性微結(jié)構(gòu)層上均覆有所述第二基板，其中，所述第一磁性微結(jié)構(gòu)層、所述第一基板和所述第二磁性微結(jié)構(gòu)層三者之間沿垂直所述第一基板表面的方向依次層疊設(shè)置，第一磁性微結(jié)構(gòu)和第二磁性微結(jié)構(gòu)均由四個(gè)獨(dú)立的磁性微結(jié)構(gòu)組合而成，每個(gè)獨(dú)立的磁性微結(jié)構(gòu)均由一根折線自內(nèi)向外等間距嵌套而成，且折線嵌套層數(shù)大于2，每個(gè)第一磁性微結(jié)構(gòu)在俯視投影方向上為自內(nèi)向外逆時(shí)針繞制形成，每個(gè)第二磁性微結(jié)構(gòu)在俯視投影方向上為自內(nèi)向外順時(shí)針繞制形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)磁導(dǎo)率超材料，其特征在于，所述第一基板的厚度為0.008-0.015mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)磁導(dǎo)率超材料，其特征在于，所述第一基板的介電常數(shù)為14-20。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)磁導(dǎo)率超材料，其特征在于，所述第一基板的損耗正切為0.003-0.007。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)磁導(dǎo)率超材料，其特征在于，所述第二基板的厚度為0.08-0.12mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)磁導(dǎo)率超材料，其特征在于，所述第二基板的介電常數(shù)為4-8。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)磁導(dǎo)率超材料，其特征在于，所述第二基板的損耗正切為0.010-0.015。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)磁導(dǎo)率超材料，其特征在于，所述第二基板為有機(jī)高分子材料或陶瓷材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)磁導(dǎo)率超材料，其特征在于，所述磁性微結(jié)構(gòu)的線寬為0.1-0.3mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)磁導(dǎo)率超材料，其特征在于，所述磁性微結(jié)構(gòu)的線間距為0.05-0.15mm。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)磁導(dǎo)率超材料，其特征在于，所述磁性微結(jié)構(gòu)的線厚度為0.03-0.05mm。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)磁導(dǎo)率超材料，其特征在于，所述磁性微結(jié)構(gòu)為開口諧振環(huán)或開口諧振環(huán)的衍生結(jié)構(gòu)。