[發明專利]非絕緣型功率模塊及其封裝工藝

有效

• 申請號: 201210052588.6
• 申請日: 2012-02-22
• 公開（公告）號: CN103295920A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 鄭軍;周錦源;賀東曉;王濤
• 申請（專利權）人: 江蘇宏微科技有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L25/16;H01L23/34;H01L23/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李家麟;王忠忠

1.一種非絕緣型功率模塊200的封裝工藝，它包含：

步驟(1)，即定位步驟：將功率模塊芯片220安裝到銅基板210的指定位置處；

步驟(2)，即第一焊接步驟：將所述功率模塊芯片220與所述銅基板210焊接在一起；

步驟(3)，即密封步驟：將焊接有所述功率模塊芯片220的所述銅基板210與外殼280安裝在一起，并采用密封膠270進行密封以形成密封結構；以及

步驟(4)，即固化步驟：采用環氧樹脂290，封裝由所述密封步驟形成的所述密封結構，從而形成所述非絕緣型功率模塊200。

2.如權利要求1所述的非絕緣型功率模塊200的封裝工藝，其特征在于，所述步驟(2)是在真空狀態下進行的。

3.如權利要求1或2所述的非絕緣型功率模塊200的封裝工藝，其特征在于，在完成步驟(2)之后且在開始步驟(3)之前還可以包括第二焊接步驟：在所述功率模塊芯片220上，將門極電極230焊接到所述功率模塊芯片230上，并且使所述門極電極230從所述環氧樹脂290中裸露出來。

4.如權利要求3所述的非絕緣型功率模塊200的封裝工藝，其特征在于，在完成步驟(4)之后，還包含外觀處理步驟：將所述外殼280上從所述環氧樹脂290中裸露出的門極電極230打彎成型。

5.如權利要求1所述的非絕緣型功率模塊200的封裝工藝，其特征在于，所述功率模塊是晶閘管模塊、二極管模塊、IGBT模塊或MOSFET模塊。

6.一種非絕緣型功率模塊200，它包含：

銅基板210；

位于所述銅基板210指定位置處的功率模塊芯片220；

從所述功率模塊芯片220引出的門極電極230；以及

外殼280，用于罩蓋所述銅基板210、門極電極230和所述功率模塊芯片220；

其中，所述功率模塊芯片220直接焊接在所述銅基板210上，所述門極電極230焊接在所述功率模塊芯片220上。

7.如權利要求6所述的非絕緣型功率模塊200，其特征在于，

其中，所述功率模塊芯片220、所述門極電極230、所述銅基板210以及所述外殼280采用硅凝膠270密封，在所述硅凝膠270上采用環氧樹脂290固化封裝，以形成密封結構。

8.如權利要求7所述的非絕緣型功率模塊200，其特征在于，所述門極電極230從所述環氧樹脂290中引出。

9.如權利要求8所述的非絕緣型功率模塊200，其特征在于，所述門極電極230被打彎成型。

10.如權利要求6至8中任一權利要求所述的非絕緣型功率模塊200，其特征在于，所述非絕緣型功率模塊200中的芯片220之間采用鋁絲鍵合在起來。

11.如權利要求6所述的非絕緣型功率模塊200，其特征在于，所述銅基板的厚度為3毫米。

12.如權利要求6所述的非絕緣型功率模塊，其特征在于，所述功率模塊是晶閘管模塊、二極管模塊、IGBT模塊或MOSFET模塊。