[發明專利]一種負磁導率超材料及MRI磁信號增強器件

有效

• 申請號: 201210052097.1
• 申請日: 2012-03-01
• 公開（公告）號: CN103296465B
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發明（設計）人: 劉若鵬;欒琳;郭潔;余銓強
• 申請（專利權）人: 深圳光啟創新技術有限公司
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00;G01R33/56;A61B5/055
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司11449
• 代理人: 蔡純,高青

1.一種負磁導率超材料，包括基板及多個周期性陣列排布在基板兩側的第一人造微結構和第二人造微結構，其特征在于，所述第一人造微結構和第二人造微結構通過一個金屬過孔相連，所述第一人造微結構和第二人造微結構為一方形螺繞環，所述第一人造微結構和所述第二人造微結構的嵌套圈數大于等于一圈，使得所述第一人造微結構和第二人造微結構的等效電感值、等效電容值增大，

其中，所述第一人造微結構和第二人造微結構的線寬和線間距相等，所述第一人造微結構和第二人造微結構的長度和寬度不大于工作波長的五分之一。

2.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第一人造微結構和第二人造微結構上覆有保護層。

3.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第一人造微結構和第二人造微結構的線寬均為0.30mm-0.70mm。

4.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第一人造微結構和第二人造微結構的線間距均為0.05mm-0.15mm。

5.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第一人造微結構和第二人造微結構的線厚度均為0.03mm-0.05mm。

6.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述基板的厚度為0.10-0.25mm。

7.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述保護層的厚度為0.03-0.09mm。

8.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述基板為FR4等級的基板。

9.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述保護層為FR4等級的高分子材料。

10.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第一人造微結構和第二人造微結構的尺寸均為30mm×30mm。

11.一種MRI磁信號增強器件，設置在待測部位與MRI成像設備的磁信號接收線圈之間，其特征在于，所述MRI磁信號增強器件為超材料，所述超材料在MRI成像設備的磁信號工作頻率下具有負磁導率，所述超材料為權利要求1至10任一所述的負磁導率超材料。