[發明專利]固體拍攝裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201210052063.2 | 申請日: | 2012-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN102760743A | 公開(公告)日: | 2012-10-31 |
| 發明(設計)人: | 小池英敏 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 陳海紅;劉瑞東 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 拍攝 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種固體拍攝裝置,其特征在于,具備:
具有第1及第2區域的半導體層;
在上述第1區域設置的像素部;
在上述第2區域設置且貫通上述半導體層的多個電極;和
在上述第2區域設置且貫通上述半導體層,且將上述像素部和上述多個電極電氣分離的保護環;
其中,上述第2區域的半導體層的頂面比上述第1區域的半導體層的頂面低。
2.如權利要求1所述的固體拍攝裝置,其特征在于,
上述多個電極及上述保護環從上述半導體層的頂面露出。
3.如權利要求1所述的固體拍攝裝置,其特征在于,還具備:
覆蓋上述保護環的露出部分的絕緣膜;和
與上述多個電極電氣連接的導電性襯墊。
4.如權利要求1所述的固體拍攝裝置,其特征在于,
上述保護環包圍上述多個電極。
5.如權利要求1所述的固體拍攝裝置,其特征在于,還具備:
覆蓋上述多個電極的各個且將上述電極和上述半導體層電氣分離的第1絕緣膜;和
覆蓋上述保護環且將上述保護環和上述半導體層電氣分離的第2絕緣膜。
6.如權利要求1所述的固體拍攝裝置,其特征在于,
上述像素部包括:
在上述半導體層內設置的光電二極管;
在上述光電二極管的上方設置的濾色器;和
在上述濾色器上設置的微透鏡。
7.一種固體拍攝裝置的制造方法,其特征在于,具備:
在半導體層的第1區域形成像素部的步驟;
在上述半導體層的第2區域形成多個電極和將上述像素部和上述多個電極電氣分離的保護環的步驟,上述多個電極及上述保護環從上述半導體層的第1面埋入;
下挖上述第2區域的半導體層的第2面,以使上述多個電極及上述保護環的端部露出的步驟;
由第1絕緣膜覆蓋上述保護環的露出部分的步驟;和
形成與上述多個電極電氣連接的導電性襯墊的步驟。
8.如權利要求7所述的固體拍攝裝置的制造方法,其特征在于,
在下挖上述半導體層的步驟之前,還具備由光致抗蝕劑覆蓋上述第1區域的半導體層的步驟。
9.如權利要求7所述的固體拍攝裝置的制造方法,其特征在于,還具備:
形成覆蓋上述多個電極的各個且將上述電極和上述半導體層電氣分離的第2絕緣膜的步驟;和
形成覆蓋上述保護環且將上述保護環和上述半導體層電氣分離的第3絕緣膜的步驟。
10.如權利要求7所述的固體拍攝裝置的制造方法,其特征在于,
上述多個電極及上述保護環從上述半導體層的第2面突出。
11.如權利要求7所述的固體拍攝裝置的制造方法,其特征在于,
上述保護環包圍上述多個電極。
12.如權利要求7所述的固體拍攝裝置的制造方法,其特征在于,
上述像素部包括:
在上述半導體層內設置的光電二極管;
在上述光電二極管的上方設置的濾色器;和
在上述濾色器上設置的微透鏡。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





